Биполярный транзистор WTS882 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: WTS882
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO92
WTS882 Datasheet (PDF)
wts772 wts882.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WTS772WTS882PNP/NPN Epitaxial Planar TransistorsTO-921. EMITTER122. COLLECTOR33. BASEABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C)Rating Symbol PNP/WTS772 UnitNPN/WTS882Collector-Emitter Voltage 30 VdcVCEO -30Collector-Base Voltage VCBO -4040 VdcEmitter-Base VOltage VEBO-5.0 5.0 VdcCollector Current (DC) IC(DC)-3.0 3.0 AdcAdcCollector Current (Pulse)(1) IC -7.
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .