Биполярный транзистор 2N1185 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2N1185
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 30 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.4 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 130
   Корпус транзистора: TO5

Другие транзисторы... 2N1180 , 2N1182 , 2N1183 , 2N1183A , 2N1183B , 2N1184 , 2N1184A , 2N1184B , BC337 , 2N1186 , 2N1187 , 2N1188 , 2N1189 , 2N118A , 2N119 , 2N1190 , 2N1191 .