KTA1536T datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: KTA1536T 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 70 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200
Корпус транзистора: TSM
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для KTA1536T
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KTA1536T даташит
kta1536t.pdf
SEMICONDUCTOR KTA1536T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR RELAY DRIVERS, LAMP DRIVERS, MOTOR DRIVERS AND STROBES APPLICATION. E B FEATURES K DIM MILLIMETERS Adoption of MBIT Processes. _ A 2.9 + 0.2 B 1.6+0.2/-0.1 High Current Capacitance. _ C 0.70 + 0.05 2 3 Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage. _ D 0.4 + 0.1 E 2.8+0.2/-0.3 High Speed Switching. _ F 1.9
kta1531t.pdf
SEMICONDUCTOR KTA1531T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR LOW FREQUENCY POWER AMP, CONVERTER ELECTRONIC GOVERNOR APPLICATIONS E B FEATURES K DIM MILLIMETERS Low Saturation Voltage _ A 2.9 + 0.2 B 1.6+0.2/-0.1 VCE(sat)=0.3V(Max.) at IC=0.5A. _ C 0.70 + 0.05 2 3 Complementary to KTC3531T. _ D 0.4 + 0.1 E 2.8+0.2/-0.3 _ F 1.9 + 0.2 1 G 0.95 _ H 0.16 + 0.05
kta1532u.pdf
SEMICONDUCTOR KTA1532U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR LOW FREQUENCY AMPLIFIER DRIVER FEATURES E A Collector Current is large. M B M DIM MILLIMETERS Collector Saturation Voltage is low. _ A 2.00 0.20 + D 2 VCE(sat) -200mV at IC=500mA, ID=-25mA. _ + B 1.25 0.15 _ + C 0.90 0.10 3 1 D 0.3+0.10/-0.05 _ E + 2.10 0.20 G 0.65 H 0.15+0.1/-0.06 J 1.30
kta1535t.pdf
SEMICONDUCTOR KTA1535T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR RELAY DRIVERS, LAMP DRIVERS, MOTOR DRIVERS AND STROBES APPLICATION. E B FEATURES K DIM MILLIMETERS Adoption of MBIT Processes. _ A 2.9 + 0.2 B 1.6+0.2/-0.1 High Current Capacitance. _ C 0.70 + 0.05 2 3 Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage. _ D 0.4 + 0.1 E 2.8+0.2/-0.3 High Speed Switching. _ F 1.9
Другие транзисторы: KTA1504S, KTA1505S, KTA1517S, KTA1520S, KTA1531T, KTA1532T, KTA1532U, KTA1535T, 2N3904, KTA1541T, KTA1542T, KTA1543T, KTA1544T, KTA1551T, KTA1552T, KTA1553T, KTA1695
History: CSD786S
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor | b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678 | irf4115





