KTA1700 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: KTA1700 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70
Корпус транзистора: TO126
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для KTA1700
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KTA1700 даташит
kta1700.pdf
SEMICONDUCTOR KTA1700 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR HIGH VOLTAGE APPLICATION. A B D C FEATURES E High Transition Frequency fT=100MHz(Typ.). F Complementary to KTC2800. G H DIM MILLIMETERS J A 8.3 MAX MAXIMUM RATING (Ta=25 ) K B 5.8 L C 0.7 CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT _ + D 3.2 0.1 E 3.5 VCBO -160 V Collector-Base Voltage _ + F 11.0 0.3
kta1700.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor KTA1700 DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage V = -160V(Min) CEO Complement to Type KTC2800 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage -160 V CBO
kta1709.pdf
SEMICONDUCTOR KTA1709 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR STROBO FLASH APPLICATION. A B HIGH CURRENT APPLICATION. D C E FEATURES F hFE=100 320 (VCE=-2V, IC=-0.5A). Low Collector Saturation Voltage. G VCE(sat)=-0.5V (IC=-3A, IB=-75mA). H DIM MILLIMETERS J A 8.3 MAX K B 5.8 L C 0.7 _ + D 3.2 0.1 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) E 3.5 _ + F 11.0 0.3 CHARACTER
kta1705.pdf
SEMICONDUCTOR KTA1705 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR AUDIO AMPLIFIER, VOLTAGE REGULATOR A B DC-DC CONVERTER, RELAY DRIVER D C E FEATURES F Low Saturation Voltage. VCE(sat) -0.8V (IC=-2A, IB=-0.2A) G Excellent hFE Linearity and high hFE. H hFE 70 240 (VCE=-2V, IC=-0.5A) DIM MILLIMETERS J A 8.3 MAX Complementary to KTC2804. K B 5.8 L C 0.7 _ + D
Другие транзисторы: KTA1541T, KTA1542T, KTA1543T, KTA1544T, KTA1551T, KTA1552T, KTA1553T, KTA1695, C5198, KTA1703, KTA1704, KTA1705, KTA1709, KTA1715, KTA1718D, KTA1718L, KTA1725
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd669 datasheet | c102 transistor | bt152 datasheet | 2sa1302 datasheet | mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики | 2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent





