KTA1807L datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: KTA1807L 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 28 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 42 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: IPAK
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для KTA1807L
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KTA1807L даташит
kta1807d kta1807l.pdf
SEMICONDUCTOR KTA1807D/L TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR HIGH VOLTAGE SWITCHING. POWER SUPPLY SWITCHING FOR TELEPHONES. A I FEATURES C J High Voltage VCEO=-600V. DIM MILLIMETERS _ High Speed Switching Time. A 6.60 + 0.2 _ B 6.10 + 0.2 tf 1.0 s (IC=-0.5A) _ C 5.0 + 0.2 _ D 1.10 + 0.2 Low Collector Emitter Saturation Voltage. _ E 2.70 + 0.2 _ F 2.30 +
kta1807d l.pdf
SEMICONDUCTOR KTA1807D/L TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR HIGH VOLTAGE SWITCHING. POWER SUPPLY SWITCHING FOR TELEPHONES. A I FEATURES C J High Voltage VCEO=-600V. DIM MILLIMETERS _ High Speed Switching Time. A 6.60 + 0.2 _ B 6.10 + 0.2 tf 1.0 s (IC=-0.5A) _ C 5.0 + 0.2 _ D 1.10 + 0.2 Low Collector Emitter Saturation Voltage. _ E 2.70 + 0.2 _ F 2.30 +
kta1834d l.pdf
SEMICONDUCTOR KTA1834D/L TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR FEATURES Low Collector Saturation Voltage. VCE(sat)=0.16V(Typ.) at (IC=-4A, IB=-0.05A) A I C J Large Collector Current DIM MILLIMETERS _ A 6.60 + 0.2 IC=-10A(dc) IC=-15A(10ms, single pulse) _ B 6.10 + 0.2 _ C 5.0 + 0.2 Complementary to KTC5001D/L. _ D 1.10 + 0.2 _ E 2.70 + 0.2 _ F 2.30 + 0.1
kta1862d l.pdf
SEMICONDUCTOR KTA1862D/L TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR HIGH VOLTAGE SWITCHING. POWER SUPPLY SWITCHING FOR TELEPHONES. A I C J FEATURES DIM MILLIMETERS _ A 6.60 + 0.2 High Breakdown Voltage, Typically BVCEO=-400V. _ B 6.10 + 0.2 _ C 5.0 + 0.2 _ D 1.10 + 0.2 Low Collector Saturation Voltage. _ E 2.70 + 0.2 _ F 2.30 + 0.1 VCE(sat)=-0.5V(Max.) at (
Другие транзисторы: KTA1705, KTA1709, KTA1715, KTA1718D, KTA1718L, KTA1725, KTA1759, KTA1807D, TIP42C, KTA1834D, KTA1834L, KTA1837, KTA1862D, KTA1862L, KTA1940, KTA1962, KTA1962A
History: 2SC4861 | 2SD859A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
oc44 transistor datasheet | 2sa1210 | 2sc3792 | mps2907a transistor equivalent | 2sc1626 | b560 transistor | 2sc632a | c3856





