KTA1862L datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: KTA1862L 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 18 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56
Корпус транзистора: IPAK
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для KTA1862L
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KTA1862L даташит
kta1862d l.pdf
SEMICONDUCTOR KTA1862D/L TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR HIGH VOLTAGE SWITCHING. POWER SUPPLY SWITCHING FOR TELEPHONES. A I C J FEATURES DIM MILLIMETERS _ A 6.60 + 0.2 High Breakdown Voltage, Typically BVCEO=-400V. _ B 6.10 + 0.2 _ C 5.0 + 0.2 _ D 1.10 + 0.2 Low Collector Saturation Voltage. _ E 2.70 + 0.2 _ F 2.30 + 0.1 VCE(sat)=-0.5V(Max.) at (
kta1834d l.pdf
SEMICONDUCTOR KTA1834D/L TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR FEATURES Low Collector Saturation Voltage. VCE(sat)=0.16V(Typ.) at (IC=-4A, IB=-0.05A) A I C J Large Collector Current DIM MILLIMETERS _ A 6.60 + 0.2 IC=-10A(dc) IC=-15A(10ms, single pulse) _ B 6.10 + 0.2 _ C 5.0 + 0.2 Complementary to KTC5001D/L. _ D 1.10 + 0.2 _ E 2.70 + 0.2 _ F 2.30 + 0.1
kta1807d kta1807l.pdf
SEMICONDUCTOR KTA1807D/L TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR HIGH VOLTAGE SWITCHING. POWER SUPPLY SWITCHING FOR TELEPHONES. A I FEATURES C J High Voltage VCEO=-600V. DIM MILLIMETERS _ High Speed Switching Time. A 6.60 + 0.2 _ B 6.10 + 0.2 tf 1.0 s (IC=-0.5A) _ C 5.0 + 0.2 _ D 1.10 + 0.2 Low Collector Emitter Saturation Voltage. _ E 2.70 + 0.2 _ F 2.30 +
kta1837.pdf
SEMICONDUCTOR KTA1837 TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATINS. A C DIM MILLIMETERS S FEATURES _ A 10.0 + 0.3 _ + B 15.0 0.3 E High Transition Frequency fT=70MHz(Typ.) C _ 2.70 0.3 + D 0.76+0.09/-0.05 Complementary Pair with KTC4793. _ E 3.2 0.2 + _ F 3.0 0.3 + _ 12.0 0.3 G + H 0.5+0.1/-0.05
Другие транзисторы: KTA1725, KTA1759, KTA1807D, KTA1807L, KTA1834D, KTA1834L, KTA1837, KTA1862D, 2N2222A, KTA1940, KTA1962, KTA1962A, KTA2012E, KTA2012V, KTA2014E, KTA2014V, KTA501E
History: 2SC4899
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
b560 transistor | 2sc632a | c3856 | 30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139





