KTA702E datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: KTA702E 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 260 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 270
Корпус транзистора: TES6
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для KTA702E
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KTA702E даташит
kta702e.pdf
SEMICONDUCTOR KTA702E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B B1 FEATURES A Collector Current is Large. 1 6 DIM MILLIMETERS Collector Saturation Voltage is low. _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 VCE(sat) -250mV at IC=-200mA/IB=-10mA. 5 2 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 Complementary to KTC802E. C 0.50 3 4 _ D 0.2 +
kta701e.pdf
SEMICONDUCTOR KTA701E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B B1 FEATURES A super-minimold package houses 2 transistor. 1 6 DIM MILLIMETERS Excellent temperature response between these 2 transistor. _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 High pairing property in hFE. 5 2 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 The follwing characteri
kta701u.pdf
SEMICONDUCTOR KTA701U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B FEATURES B1 A super-minimold package houses 2 transistor. DIM MILLIMETERS 1 6 _ Excellent temperature response between these 2 transistor. A 2.00 + 0.20 _ 2 5 A1 1.3 + 0.1 High pairing property in hFE. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 The follwing char
kta708.pdf
SEMICONDUCTOR KTA708 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR VOLTAGE REGULATOR, RELAY, LAMP DRIVER, INDUSTRIAL USE B C FEATURES High Voltage VCEO=-60V(Min.). High Current IC(Max.)=-1A. N DIM MILLIMETERS High Transition Frequency fT=150MHz(Typ.). A 4.70 MAX E K Wide Area of Safe Operation. B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D Complementary to KTC1008. D 0.45 E 1.00
Другие транзисторы: KTA2014E, KTA2014V, KTA501E, KTA501U, KTA511T, KTA539, KTA701E, KTA701U, B772, KTA708, KTA711E, KTA711T, KTA711U, KTA712E, KTA712U, KTA733, KTA733B
History: 2SC2901
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810




