Биполярный транзистор KTA708 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KTA708
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO92
KTA708 Datasheet (PDF)
kta708.pdf
SEMICONDUCTOR KTA708TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORVOLTAGE REGULATOR, RELAY,LAMP DRIVER, INDUSTRIAL USEB CFEATURESHigh Voltage : VCEO=-60V(Min.).High Current : IC(Max.)=-1A.N DIM MILLIMETERSHigh Transition Frequency : fT=150MHz(Typ.).A 4.70 MAXEKWide Area of Safe Operation. B 4.80 MAXGC 3.70 MAXDComplementary to KTC1008.D 0.45E 1.00
kta701e.pdf
SEMICONDUCTOR KTA701ETECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION. BB1FEATURESA super-minimold package houses 2 transistor.1 6 DIM MILLIMETERSExcellent temperature response between these 2 transistor. _A 1.6 + 0.05_A1 1.0 + 0.05High pairing property in hFE. 52_B 1.6 + 0.05_B1 1.2 + 0.05The follwing characteri
kta701u.pdf
SEMICONDUCTOR KTA701UTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.BFEATURESB1A super-minimold package houses 2 transistor.DIM MILLIMETERS1 6_Excellent temperature response between these 2 transistor. A 2.00 + 0.20_2 5 A1 1.3 + 0.1High pairing property in hFE._B 2.1 + 0.13 4 D _B1 1.25 + 0.1The follwing char
kta702e.pdf
SEMICONDUCTOR KTA702ETECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION. BB1FEATURESA Collector Current is Large.1 6 DIM MILLIMETERSCollector Saturation Voltage is low. _A 1.6 + 0.05_A1 1.0 + 0.05: VCE(sat) -250mV at IC=-200mA/IB=-10mA. 52_B 1.6 + 0.05_B1 1.2 + 0.05Complementary to KTC802E.C 0.503 4_D 0.2 +
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2PB710Q | 2N925
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050