KTC3553T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KTC3553T  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 330 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 26 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TSM

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KTC3553T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTC3553T даташит

 ..1. Size:89K  kec
 ktc3553t.pdf pdf_icon

KTC3553T

SEMICONDUCTOR KTC3553T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR RELAY DRIVERS, LAMP DRIVERS, MOTOR DRIVERS AND STROBES APPLICATION. E B FEATURES K DIM MILLIMETERS Adoption of MBIT Processes. _ A 2.9 + 0.2 B 1.6+0.2/-0.1 High Current Capacitance. _ C 0.70 + 0.05 2 3 Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage. _ D 0.4 + 0.1 E 2.8+0.2/-0.3 Ultrasmall-Sized Package permit

 8.1. Size:89K  kec
 ktc3551t.pdf pdf_icon

KTC3553T

SEMICONDUCTOR KTC3551T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR RELAY DRIVERS, LAMP DRIVERS, MOTOR DRIVERS APPLICATION. E B FEATURES K DIM MILLIMETERS Adoption of MBIT Processes. _ A 2.9 + 0.2 B 1.6+0.2/-0.1 Large Current Capacitance. _ C 0.70 + 0.05 2 3 Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage. _ D 0.4 + 0.1 E 2.8+0.2/-0.3 High-Speed Switching. _ F 1.9 + 0.2 1

 8.2. Size:377K  kec
 ktc3552t.pdf pdf_icon

KTC3553T

SEMICONDUCTOR KTC3552T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR DC-DC CONVERTERS RELAY DRIVERS, LAMP DRIVERS, MOTOR DRIVERS, STROBES APPLICATION. E B FEATURES K DIM MILLIMETERS Adoption of FBET, MBIT Processes. _ A 2.9 + 0.2 B 1.6+0.2/-0.1 High Current Capacitance. _ C 0.70 + 0.05 2 3 Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage. _ D 0.4 + 0.1 E 2.8+0.2/-0.3 Hig

 8.3. Size:948K  kexin
 ktc3551t.pdf pdf_icon

KTC3553T

SMD Type Transistors NPN Transistors KTC3551T SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features Adoption of MBIT Processes. Large Current Capacitance. 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage. 1.9+0.1 -0.1 High-Speed Switching. High Allowable Power Dis sipation. 1.Base Complementary to KTA1551T. 2.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KTC3532T, KTC3535T, KTC3536T, KTC3541T, KTC3542T, KTC3543T, KTC3544T, KTC3551T, TIP41, KTC3600S, KTC3600U, KTC3605T, KTC3605U, KTC3620S, KTC3620U, KTC3620V, KTC3631L