KTC3631L datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: KTC3631L 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 18 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56
Корпус транзистора: IPAK
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для KTC3631L
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KTC3631L даташит
ktc3631d l.pdf
SEMICONDUCTOR KTC3631D/L TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR HIGH VOLTAGE SWITCHING. FEATURES A I C J Low Collector Saturation Voltage DIM MILLIMETERS _ A 6.60 + 0.2 VCE(sat)=0.5V(Max.) at (IC=0.5A). _ B 6.10 + 0.2 _ C 5.0 + 0.2 High Switching Speed Typically. _ D 1.10 + 0.2 _ E 2.70 + 0.2 tf 0.4 S at IC=1A. _ F 2.30 + 0.1 H 1.00 MAX Complementary to K
ktc3605u.pdf
SEMICONDUCTOR KTC3605U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR VHF/UHF WIDE BAND AMPLIFIER APPLICATION. FEATURES B Low Noise Figure, High Gain. B1 NF=1.1dB, S21e 2=13dB (f=1GHz). DIM MILLIMETERS 1 6 _ A 2.00 0.20 + Two internal isolated Transistors in one package. _ 2 5 A1 1.3 + 0.1 _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 C 0.65 D 0.2+0.10/-0.05 MAXIMUM RATING (Ta=25 )
ktc3600u.pdf
SEMICONDUCTOR KTC3600U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR VHF/UHF WIDE BAND AMPLIFIER APPLICATION. E FEATURES M B M DIM MILLIMETERS Low Noise Figure, High Gain. _ A 2.00 0.20 + D 2 NF=1.1dB, S21e 2=13dB (f=1GHz). _ + B 1.25 0.15 _ C 0.90 + 0.10 3 1 D 0.3+0.10/-0.05 _ + E 2.10 0.20 G 0.65 H 0.15+0.1/-0.06 J 1.30 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) K 0.00-0.10 L 0.70
ktc3605t.pdf
SEMICONDUCTOR KTC3605T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR VHF/UHF WIDE BAND AMPLIFIER APPLICATION. E FEATURES K B K DIM MILLIMETERS Low Noise Figure, High Gain. _ A 2.9 + 0.2 16 B 1.6+0.2/-0.1 NF=1.1dB, S21e 2=13dB (f=1GHz). _ C 0.70 + 0.05 2 5 Two internal isolated Transistors in one package. _ + D 0.4 0.1 E 2.8+0.2/-0.3 _ F 1.9 + 0.2 3 4 G 0.95 _ H 0.16 +
Другие транзисторы: KTC3553T, KTC3600S, KTC3600U, KTC3605T, KTC3605U, KTC3620S, KTC3620U, KTC3620V, BD140, KTC3640V, KTC3660U, KTC3708U, KTC3730U, KTC3730V, KTC3770S, KTC3770T, KTC3770U
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243










