KTC3640V datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KTC3640V  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.09 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 5 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 3 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: VSM

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KTC3640V

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTC3640V даташит

 ..1. Size:498K  kec
ktc3640v.pdfpdf_icon

KTC3640V

SEMICONDUCTOR KTC3640V TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR VHF/UHF/WIDE BAND AMPLIFIER APPLICATON. E FEATURES B Low Noise Figure, High Gain. NF=1.4dB, S21e 2=9.0dB(2GHz) DIM MILLIMETERS 2 _ A 1.2 +0.05 _ B 0.8 +0.05 1 3 _ C 0.5 + 0.05 _ D 0.3 + 0.05 _ E 1.2 + 0.05 _ G 0.8 0.05 + H 0.40 P P MAXIMUM RATING (Ta=25 ) _ J 0.12 + 0.05 _ K 0.2 + 0.05 CHARACTE

 9.1. Size:80K  kec
ktc3605u.pdfpdf_icon

KTC3640V

SEMICONDUCTOR KTC3605U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR VHF/UHF WIDE BAND AMPLIFIER APPLICATION. FEATURES B Low Noise Figure, High Gain. B1 NF=1.1dB, S21e 2=13dB (f=1GHz). DIM MILLIMETERS 1 6 _ A 2.00 0.20 + Two internal isolated Transistors in one package. _ 2 5 A1 1.3 + 0.1 _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 C 0.65 D 0.2+0.10/-0.05 MAXIMUM RATING (Ta=25 )

 9.2. Size:83K  kec
ktc3600u.pdfpdf_icon

KTC3640V

SEMICONDUCTOR KTC3600U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR VHF/UHF WIDE BAND AMPLIFIER APPLICATION. E FEATURES M B M DIM MILLIMETERS Low Noise Figure, High Gain. _ A 2.00 0.20 + D 2 NF=1.1dB, S21e 2=13dB (f=1GHz). _ + B 1.25 0.15 _ C 0.90 + 0.10 3 1 D 0.3+0.10/-0.05 _ + E 2.10 0.20 G 0.65 H 0.15+0.1/-0.06 J 1.30 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) K 0.00-0.10 L 0.70

 9.3. Size:502K  kec
ktc3605t.pdfpdf_icon

KTC3640V

SEMICONDUCTOR KTC3605T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR VHF/UHF WIDE BAND AMPLIFIER APPLICATION. E FEATURES K B K DIM MILLIMETERS Low Noise Figure, High Gain. _ A 2.9 + 0.2 16 B 1.6+0.2/-0.1 NF=1.1dB, S21e 2=13dB (f=1GHz). _ C 0.70 + 0.05 2 5 Two internal isolated Transistors in one package. _ + D 0.4 0.1 E 2.8+0.2/-0.3 _ F 1.9 + 0.2 3 4 G 0.95 _ H 0.16 +

Другие транзисторы: KTC3600S, KTC3600U, KTC3605T, KTC3605U, KTC3620S, KTC3620U, KTC3620V, KTC3631L, TIP3055, KTC3660U, KTC3708U, KTC3730U, KTC3730V, KTC3770S, KTC3770T, KTC3770U, KTC3770UL