KTC3708U datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KTC3708U  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 12 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 6 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 800 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 270

Корпус транзистора: USM

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KTC3708U

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTC3708U даташит

 ..1. Size:38K  kec
ktc3708u.pdfpdf_icon

KTC3708U

SEMICONDUCTOR KTC3708U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR High frequency amplifier transistor, RF switching application. E FEATURES M B M DIM MILLIMETERS Very low on resistance (RON). _ A 2.00 0.20 + D 2 Low capacitance. _ + B 1.25 0.15 _ C 0.90 + 0.10 3 1 D 0.3+0.10/-0.05 _ + E 2.10 0.20 G 0.65 H 0.15+0.1/-0.06 J 1.30 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) K 0.00-0.10

 9.1. Size:84K  kec
ktc3770t.pdfpdf_icon

KTC3708U

SEMICONDUCTOR KTC3770T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR VHF/UHF WIDE BAND AMPLIFIER APPLICATION. E B FEATURES K DIM MILLIMETERS Low Noise Figure, High Gain. _ A 2.9 + 0.2 B 1.6+0.2/-0.1 NF=1.1dB, S21e 2=11dB (f=1GHz). _ C 0.70 + 0.05 2 3 _ D 0.4 + 0.1 E 2.8+0.2/-0.3 _ F 1.9 + 0.2 1 G 0.95 _ H 0.16 + 0.05 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) I 0.00-0.10 J 0.25+0.25/-

 9.2. Size:83K  kec
ktc3770u.pdfpdf_icon

KTC3708U

SEMICONDUCTOR KTC3770U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR VHF/UHF WIDE BAND AMPLIFIER APPLICATION. E FEATURES M B M DIM MILLIMETERS Low Noise Figure, High Gain. _ A 2.00 0.20 + D 2 NF=1.1dB, S21e 2=11dB (f=1GHz). _ + B 1.25 0.15 _ C 0.90 + 0.10 3 1 D 0.3+0.10/-0.05 _ + E 2.10 0.20 G 0.65 H 0.15+0.1/-0.06 J 1.30 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) K 0.00-0.10 L 0.70

 9.3. Size:75K  kec
ktc3730v.pdfpdf_icon

KTC3708U

SEMICONDUCTOR KTC3730V TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR VHF/UHF WIDE BAND AMPLIFIER APPLICATION. E FEATURES B Low Noise Figure, High Gain. Small rbb Cc (Typ. 4pS). DIM MILLIMETERS 2 _ A 1.2 +0.05 _ B 0.8 +0.05 1 3 _ C 0.5 + 0.05 _ + D 0.3 0.05 _ E 1.2 + 0.05 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) _ G 0.8 + 0.05 H 0.40 P P CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT _ J 0.12 +

Другие транзисторы: KTC3605T, KTC3605U, KTC3620S, KTC3620U, KTC3620V, KTC3631L, KTC3640V, KTC3660U, BC557, KTC3730U, KTC3730V, KTC3770S, KTC3770T, KTC3770U, KTC3770UL, KTC3770V, KTC3780U