KTC3770S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KTC3770S  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KTC3770S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTC3770S даташит

 ..1. Size:438K  kec
 ktc3770s.pdf pdf_icon

KTC3770S

SEMICONDUCTOR KTC3770S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR VHF/UHF WIDE BAND AMPLIFIER APPLICATION. E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS Low Noise Figure, High Gain. _ + A 2.93 0.20 B 1.30+0.20/-0.15 NF=1.1dB, S21e 2=11dB (f=1GHz). C 1.30 MAX 2 3 D 0.45+0.15/-0.05 E 2.40+0.30/-0.20 1 G 1.90 H 0.95 J 0.13+0.10/-0.05 K 0.00 0.10 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) L 0.55 P P

 7.1. Size:84K  kec
 ktc3770t.pdf pdf_icon

KTC3770S

SEMICONDUCTOR KTC3770T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR VHF/UHF WIDE BAND AMPLIFIER APPLICATION. E B FEATURES K DIM MILLIMETERS Low Noise Figure, High Gain. _ A 2.9 + 0.2 B 1.6+0.2/-0.1 NF=1.1dB, S21e 2=11dB (f=1GHz). _ C 0.70 + 0.05 2 3 _ D 0.4 + 0.1 E 2.8+0.2/-0.3 _ F 1.9 + 0.2 1 G 0.95 _ H 0.16 + 0.05 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) I 0.00-0.10 J 0.25+0.25/-

 7.2. Size:83K  kec
 ktc3770u.pdf pdf_icon

KTC3770S

SEMICONDUCTOR KTC3770U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR VHF/UHF WIDE BAND AMPLIFIER APPLICATION. E FEATURES M B M DIM MILLIMETERS Low Noise Figure, High Gain. _ A 2.00 0.20 + D 2 NF=1.1dB, S21e 2=11dB (f=1GHz). _ + B 1.25 0.15 _ C 0.90 + 0.10 3 1 D 0.3+0.10/-0.05 _ + E 2.10 0.20 G 0.65 H 0.15+0.1/-0.06 J 1.30 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) K 0.00-0.10 L 0.70

 7.3. Size:81K  kec
 ktc3770v.pdf pdf_icon

KTC3770S

SEMICONDUCTOR KTC3770V TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR VHF/UHF WIDE BAND AMPLIFIER APPLICATION. E FEATURES B Low Noise Figure, High Gain. NF=1.1dB, S21e 2=11dB (f=1GHz). DIM MILLIMETERS 2 _ A 1.2 + 0.05 _ B 0.8 + 0.05 1 3 _ C 0.5 + 0.05 _ D 0.3 + 0.05 _ E 1.2 + 0.05 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) _ G 0.8 + 0.05 H 0.40 P P _ J 0.12 + 0.05 CHARACTERISTIC SYMBO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KTC3620U, KTC3620V, KTC3631L, KTC3640V, KTC3660U, KTC3708U, KTC3730U, KTC3730V, 2N3906, KTC3770T, KTC3770U, KTC3770UL, KTC3770V, KTC3780U, KTC3790S, KTC3790U, KTC3875S