KTC3881S datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: KTC3881S 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.1 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: SOT23
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для KTC3881S
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KTC3881S даташит
ktc3881s.pdf
SEMICONDUCTOR KTC3881S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH FREQUENCY APPLICATION. VHF BAND AMPLIFIER APPLICATION. E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS Good Linerarity of fT. _ + 2.93 0.20 A B 1.30+0.20/-0.15 C 1.30 MAX 2 3 D 0.45+0.15/-0.05 E 2.40+0.30/-0.20 1 G 1.90 H 0.95 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) J 0.13+0.10/-0.05 K 0.00 0.10 CHARACTERISTIC SYMBOL RATING
ktc3882.pdf
SEMICONDUCTOR KTC3882 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH FREQUENCY APPLICATION. TV TUNER, VHF OSCILLATOR APPLICATION. E L B L DIM MILLIMETERS _ + 2.93 0.20 A B 1.30+0.20/-0.15 C 1.30 MAX 2 3 D 0.45+0.15/-0.05 E 2.40+0.30/-0.20 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) 1 G 1.90 H 0.95 CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT J 0.13+0.10/-0.05 K 0.00 0.10 VCBO Collector-Base Vol
ktc3883.pdf
SEMICONDUCTOR KTC3883 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH FREQUENCY APPLICATION. VHF BAND AMPLIFIER APPLICATION. E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS High Current IC(MAX)=200mA. _ + 2.93 0.20 A B 1.30+0.20/-0.15 High Transition Frequency fT=500MHz(Typ.). C 1.30 MAX 2 Low Voltage Operating. 3 D 0.45+0.15/-0.05 E 2.40+0.30/-0.20 1 G 1.90 H 0.95 J 0.13+0.
ktc3880s.pdf
SEMICONDUCTOR KTC3880S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION. VHF BAND AMPLIFIER APPLICATION. E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS Small Reverse Transfer Capacitance _ + 2.93 0.20 A B 1.30+0.20/-0.15 Cre=0.7pF(Typ.) C 1.30 MAX 2 Low Noise Figure NF=2.5dB(Typ.) (f=100MHz). 3 D 0.45+0.15/-0.05 E 2.40+0.30/-0.20 1 G 1.90
Другие транзисторы: KTC3780U, KTC3790S, KTC3790U, KTC3875S, KTC3876S, KTC3878S, KTC3879S, KTC3880S, MJE340, KTC3911S, KTC3964, KTC4021, KTC4072E, KTC4072V, KTC4074V, KTC4075E, KTC4075V
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
oc84 | c6090 | ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726








