KTC4080 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: KTC4080 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 550 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.1 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: USM
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для KTC4080
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KTC4080 даташит
ktc4080.pdf
SEMICONDUCTOR KTC4080 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION. VHF BAND AMPLIFIER APPLICATION. E FEATURES M B M DIM MILLIMETERS Small Reverse Transfer Capacitance _ A + 2.00 0.20 D 2 Cre=0.7pF(Typ.) _ + B 1.25 0.15 _ + C 0.90 0.10 Low Noise Figure NF=2.5dB(Typ.) (f=100MHz). 3 1 D 0.3+0.10/-0.05 _ E + 2.10 0.20
ktc4080e.pdf
SEMICONDUCTOR KTC4080E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION. VHF BAND AMPLIFIER APPLICATION. E FEATURES B DIM MILLIMETERS Small Reverse Transfer Capacitance _ + A 1.60 0.10 D Cre=0.7pF(Typ.) _ + 2 B 0.85 0.10 _ + C 0.70 0.10 Low Noise Figure NF=2.5dB(Typ.) (f=100MHz). 3 1 D 0.27+0.10/-0.05 _ + E 1.60 0.10 _
ktc4082.pdf
SEMICONDUCTOR KTC4082 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH FREQUENCY APPLICATION. TV TUNER, VHF OSCILLATOR APPLICATION. E M B M DIM MILLIMETERS _ A + 2.00 0.20 D 2 _ + B 1.25 0.15 _ + C 0.90 0.10 3 1 D 0.3+0.10/-0.05 _ E + 2.10 0.20 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) G 0.65 H 0.15+0.1/-0.06 CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT J 1.30 K 0.00-0.10 VCBO Collecto
ktc4081.pdf
SEMICONDUCTOR KTC4081 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH FREQUENCY APPLICATION. VHF BAND AMPLIFIER APPLICATION. E FEATURES M B M DIM MILLIMETERS Good Linerarity of fT. _ A + 2.00 0.20 D 2 _ + B 1.25 0.15 _ + C 0.90 0.10 3 1 D 0.3+0.10/-0.05 _ E + 2.10 0.20 G 0.65 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) H 0.15+0.1/-0.06 J 1.30 CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNI
Другие транзисторы: KTC3911S, KTC3964, KTC4021, KTC4072E, KTC4072V, KTC4074V, KTC4075E, KTC4075V, 8050, KTC4080E, KTC4081, KTC4217, KTC4468, KTC4511, KTC4520F, KTC4521F, KTC4527F
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent | 2n554 | 2sa1011 | 2sa1283 | 2sb646




