KTC4511 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: KTC4511 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 55
Корпус транзистора: TO220IS
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для KTC4511
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KTC4511 даташит
ktc4511.pdf
SEMICONDUCTOR KTC4511 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION. A C FEATURES DIM MILLIMETERS S Complementary to KTA1725. _ A 10.0 + 0.3 _ + B 15.0 0.3 E C _ 2.70 0.3 + D 0.76+0.09/-0.05 _ E 3.2 0.2 + _ F 3.0 0.3 + _ 12.0 0.3 G + H 0.5+0.1/-0.05 _ + J 13.6 0.5 L L R K _ 3.7 0.2 + L MAXIMUM RATING (Ta=25 ) 1.2+0.25/-0
ktc4527f.pdf
SEMICONDUCTOR KTC4527F TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR HIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITY HIGH SPEED SWITCHING, WIDE SOA A C DIM MILLIMETERS U A 10.30 MAX B 15.30 MAX E C 2.70 0.30 S D 0.85 MAX MAXIMUM RATING (Ta=25 ) E 3.20 0.20 F 3.00 0.30 CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT G 12.30 MAX R H 0.75 MAX T VCBO Collector-Base Voltage 1100 V L L J 13.60 0.50 K 3
ktc4520f.pdf
SEMICONDUCTOR KTC4520F TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR SWITCHING REGULATOR APPLICATION. HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATION. A C DIM MILLIMETERS S FEATURES _ A 10.0 0.3 + _ + B 15.0 0.3 E Excellent Switching Times. C _ 2.70 0.3 + D 0.76+0.09/-0.05 ton=0.5 S(Max.), at IC=2A. S(Max.), tf=0.3 _ E 3.2 0.2 + High Collector Voltage VCEO=500V. _ F
ktc4521f.pdf
SEMICONDUCTOR KTC4521F TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR SWITCHING REGULATOR APPLICATION. HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATION. A C DIM MILLIMETERS S FEATURES _ A 10.0 0.3 + _ + B 15.0 0.3 E Excellent Switching Times. C _ 2.70 0.3 + D 0.76+0.09/-0.05 ton=0.5 S(Max.), tf=0.3 S(Max.), at IC=4A. _ E 3.2 0.2 + High Collector Voltage VCEO=500V. _ F 3.0 0.3
Другие транзисторы: KTC4074V, KTC4075E, KTC4075V, KTC4080, KTC4080E, KTC4081, KTC4217, KTC4468, 2SD2499, KTC4520F, KTC4521F, KTC4527F, KTC4666, KTC4793, KTC5001D, KTC5001L, KTC5027
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa1011 | 2sa1283 | 2sb646 | 2sc1885 datasheet | 2sc2580 | 2sc710 | 2sc968 | 2sd217




