KTC945B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KTC945B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для KTC945B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTC945B даташит

 ..1. Size:272K  kec
 ktc945b.pdf pdf_icon

KTC945B

SEMICONDUCTOR KTC945B TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B C FEATURES Excellent hFE Linearity. hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) N DIM MILLIMETERS Low Noise NF=1dB(Typ.). at f=1kHz A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX Complementary to KTA733B(O, Y, GR class). G C 3.70 MAX D D 0.45 E 1.00 F 1.27 G 0.85 H 0.45 _ MA

 8.1. Size:44K  kec
 ktc945.pdf pdf_icon

KTC945B

SEMICONDUCTOR KTC945 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B C FEATURES Excellent hFE Linearity. hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) N DIM MILLIMETERS Low Noise NF=1dB(Typ.). at f=1kHz A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX Complementary to KTA733. G C 3.70 MAX D D 0.45 E 1.00 F 1.27 G 0.85 H 0.45 _ MAXIMUM RATING (Ta=2

Другие транзисторы: KTC9011S, KTC9012S, KTC9013S, KTC9014S, KTC9015S, KTC9016S, KTC9018S, KTC945, BDT88, KTD1003, KTD1047B, KTD1347, KTD1411, KTD1415V, KTD1510, KTD1530, KTD1624