Справочник транзисторов. KTD1415V

 

Биполярный транзистор KTD1415V Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KTD1415V
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
   Корпус транзистора: TO220IS
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

KTD1415V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:455K  kec
 ktd1415v.pdf pdf_icon

KTD1415V

SEMICONDUCTOR KTD1415VTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORINDUSTRIAL USE.HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS. ACHAMMER DRIVER, PULSE MOTOR DRIVER DIM MILLIMETERSSAPPLICATIONS._A 10.0 0.3+_+B 15.0 0.3EC _2.70 0.3+D 0.76+0.09/-0.05FEATURES_E 3.2 0.2+High DC Current Gain : hFE=2000(Min.) at VCE=3V, IC=3A. _F 3.0 0.3+_12.0 0.3G +

 7.1. Size:455K  kec
 ktd1415.pdf pdf_icon

KTD1415V

SEMICONDUCTOR KTD1415TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS. HAMMER DRIVER, PULSE MOTOR DRIVER ACAPPLICATIONS.DIM MILLIMETERSS_A 10.0 0.3+_+B 15.0 0.3EFEATURESC _2.70 0.3+D 0.76+0.09/-0.05High DC Current Gain : hFE=2000(Min.) at VCE=3V, IC=3A._E 3.2 0.2+Low Saturation Voltage : VCE(sat)=1.5V(Max.) at IC

 8.1. Size:444K  kec
 ktd1413.pdf pdf_icon

KTD1415V

SEMICONDUCTOR KTD1413TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS. HAMMER DRIVER, PULSE MOTOR DRIVER ACAPPLICATIONS.DIM MILLIMETERSS_A 10.0 0.3+_+B 15.0 0.3EFEATURESC _2.70 0.3+D 0.76+0.09/-0.05High DC Current Gain : hFE=2000(Min.) at VCE=2V, IC=3A._E 3.2 0.2+Low Saturation Voltage : VCE(sat)=1.5V(Max.) at IC

 8.2. Size:449K  kec
 ktd1414.pdf pdf_icon

KTD1415V

SEMICONDUCTOR KTD1414TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATIONS. HAMMER DRIVER, PULSE MOTOR DRIVER ACAPPLICATIONS.DIM MILLIMETERSS_A 10.0 0.3+_+B 15.0 0.3EFEATURESC _2.70 0.3+D 0.76+0.09/-0.05High DC Current Gain : hFE=2000(Min.) at VCE=2V, IC=1A._E 3.2 0.2+_F 3.0 0.3+_12.0 0.3G +H 0.5+0.1/-0.05_+J 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 2SD692 | 2SC3356-SC1-R-R | 2N5927 | 2N1045-1

 

 
Back to Top

 


 
.