KTD1854T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KTD1854T

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5000

Корпус транзистора: TSM

 Аналоги (замена) для KTD1854T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTD1854T даташит

 ..1. Size:256K  kec
ktd1854t.pdfpdf_icon

KTD1854T

SEMICONDUCTOR KTD1854T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR DRIVER APPLICATIONS. FEATURES E B AF amplifier, solenoid drivers, LED drivers. K DIM MILLIMETERS Darlington connection. _ A 2.9 + 0.2 B 1.6+0.2/-0.1 High DC current gain. _ C 0.70 + 0.05 2 3 Very small-sized package permitting sets to be made _ D 0.4 + 0.1 E 2.8+0.2/-0.3 smaller and slimer. _ F 1.9 + 0

 9.1. Size:71K  secos
ktd1898.pdfpdf_icon

KTD1854T

KTD1898 1A , 100V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-89 FEATURES Small Flat Package 4 General Purpose Application 1 2 3 CLASSIFICATION OF hFE(1) B C A E E C Product-Rank KTD1898-O KTD1898-Y KTD1898-GR Range 70 140 120 240 200 400 B D Marking ZO ZY ZG

 9.2. Size:152K  jiangsu
ktd1898.pdfpdf_icon

KTD1854T

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors SOT-89-3L KTD1898 TRANSISTOR (NPN) 1. BASE FEATURES 2. COLLECTOR Small Flat Package General Purpose Application 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 80 V VEB

 9.3. Size:37K  kec
ktd1824.pdfpdf_icon

KTD1854T

SEMICONDUCTOR KTD1824 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY AMPLIFICATION. FEATURES E High foward current transfer ratio hFE. M B M DIM MILLIMETERS Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). _ A + 2.00 0.20 D 2 High emitter to base voltage VEBO. _ + B 1.25 0.15 _ + C 0.90 0.10 Low noise voltage NV. 3 1 D 0.3+0.10/-0.05 _

Другие транзисторы: KTD1411, KTD1415V, KTD1510, KTD1530, KTD1624, KTD1691, KTD1824, KTD1824E, 2N3055, KTD1863, KTD1882, KTD2686, KTD2854, KTD545, KTD600K, KTD718B, KTD882