KTD1854T. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: KTD1854T
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5000
Корпус транзистора: TSM
Аналоги (замена) для KTD1854T
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KTD1854T даташит
ktd1854t.pdf
SEMICONDUCTOR KTD1854T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR DRIVER APPLICATIONS. FEATURES E B AF amplifier, solenoid drivers, LED drivers. K DIM MILLIMETERS Darlington connection. _ A 2.9 + 0.2 B 1.6+0.2/-0.1 High DC current gain. _ C 0.70 + 0.05 2 3 Very small-sized package permitting sets to be made _ D 0.4 + 0.1 E 2.8+0.2/-0.3 smaller and slimer. _ F 1.9 + 0
ktd1898.pdf
KTD1898 1A , 100V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-89 FEATURES Small Flat Package 4 General Purpose Application 1 2 3 CLASSIFICATION OF hFE(1) B C A E E C Product-Rank KTD1898-O KTD1898-Y KTD1898-GR Range 70 140 120 240 200 400 B D Marking ZO ZY ZG
ktd1898.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors SOT-89-3L KTD1898 TRANSISTOR (NPN) 1. BASE FEATURES 2. COLLECTOR Small Flat Package General Purpose Application 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 80 V VEB
ktd1824.pdf
SEMICONDUCTOR KTD1824 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY AMPLIFICATION. FEATURES E High foward current transfer ratio hFE. M B M DIM MILLIMETERS Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). _ A + 2.00 0.20 D 2 High emitter to base voltage VEBO. _ + B 1.25 0.15 _ + C 0.90 0.10 Low noise voltage NV. 3 1 D 0.3+0.10/-0.05 _
Другие транзисторы: KTD1411, KTD1415V, KTD1510, KTD1530, KTD1624, KTD1691, KTD1824, KTD1824E, 2N3055, KTD1863, KTD1882, KTD2686, KTD2854, KTD545, KTD600K, KTD718B, KTD882
History: KTD1882 | BFP67R
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip 35 transistor | bu2508df | 2n2222a transistor equivalent | 2sc2509 | 2n1815 | 2sa1103 | 2sb435 | 2sc1096











