KTN2222AU. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: KTN2222AU
Маркировка: ZG
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: USM
Аналоги (замена) для KTN2222AU
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KTN2222AU даташит
ktn2222ae.pdf
SEMICONDUCTOR KTN2222AE TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. E FEATURES B Low Leakage Current D DIM MILLIMETERS ICEX=10nA(Max.) ; VCE=60V, VEB(OFF)=3V. 2 _ + A 1.60 0.10 Low Saturation Voltage _ + B 0.85 0.10 3 1 _ C 0.70 0.10 + VCE(sat)=0.3V(Max.) ; IC=150mA, IB=15mA. D 0.27+0.10/-0.05 _ Complementary
ktn2222s ktn2222as.pdf
SEMICONDUCTOR KTN2222S/AS TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS _ + A 2.93 0.20 Low Leakage Current B 1.30+0.20/-0.15 ICEX=10nA(Max.) ; VCE=60V, VEB(OFF)=3V. C 1.30 MAX 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 Low Saturation Voltage E 2.40+0.30/-0.20 1 G 1.90 VCE(sat)=0.3V(Max.) ; IC=150mA,
ktn2222 a.pdf
SEMICONDUCTOR KTN2222/A TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B C FEATURES Low Leakage Current ICEX=10nA(Max.) ; VCE=60V, VEB(OFF)=3V. N DIM MILLIMETERS Low Saturation Voltage A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX VCE(sat)=0.3V(Max.) ; IC=150mA, IB=15mA. G C 3.70 MAX D Complementary to the KTN2907/2907A. D 0.45 E 1.00 K
ktn2222s as.pdf
SEMICONDUCTOR KTN2222S/AS TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS Low Leakage Current _ + 2.93 0.20 A B 1.30+0.20/-0.15 ICEX=10nA(Max.) ; VCE=60V, VEB(OFF)=3V. C 1.30 MAX 2 Low Saturation Voltage 3 D 0.45+0.15/-0.05 E 2.40+0.30/-0.20 VCE(sat)=0.3V(Max.) ; IC=150mA, IB=15mA. 1 G
Другие транзисторы: KTD2854, KTD545, KTD600K, KTD718B, KTD882, KTH2369, KTH2369A, KTN2222AE, D882, KTN2222U, KTN2369AS, KTN2369AU, KTN2907AE, KTN2907AU, KTX101E, KTX101U, KTX102E
History: 2SC2670Y | BFQ134
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c495 transistor | c5242 reemplazo | d667 transistor datasheet | hy1d datasheet | mp20a transistor | mrf450 | oc70 transistor | p0603bd mosfet





