Биполярный транзистор KTX101U Даташит. Аналоги
Наименование производителя: KTX101U
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: US6
KTX101U Datasheet (PDF)
ktx101u.pdf

SEMICONDUCTOR KTX101UTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.FEATURESBIncluding two devices in US6.B1(Ultra Super mini type with 6 leads)DIM MILLIMETERS1 6_Simplify circuit design. A 2.00 + 0.20_2 5 A1 1.3 + 0.1Reduce a quantity of parts and manufacturing process._B 2.1 + 0.13 4 D _B1 1.25 + 0.1C 0.65D 0.2+0.10/-0.0
ktx101e.pdf

SEMICONDUCTOR KTX101ETECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.BB1FEATURESIncluding two devices in TES6.(Thin Extreme Super mini type with 6 pin.)1 6 DIM MILLIMETERSSimplify circuit design. _A 1.6 + 0.05_A1 1.0 + 0.05Reduce a quantity of parts and manufacturing process.2 5_B 1.6 + 0.05_B1 1.2 + 0.05C 0.503 4_D 0.2 +
ktx102e.pdf

SEMICONDUCTOR KTX102ETECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP/NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.BB1FEATURESIncluding two devices in TES6.(Thin Extreme Super mini type with 6 Pin.)1 6 DIM MILLIMETERSSimplify circuit design. _A 1.6 + 0.05_A1 1.0 + 0.05Reduce a quantity of parts and manufacturing process.2 5_B 1.6 + 0.05_B1 1.2 + 0.05C 0.503 4_D 0.2 +
ktx103e.pdf

SEMICONDUCTOR KTX103ETECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.BB1FEATURESIncluding two devices in TES6.(Thin Extreme Super mini type with 6 pin.)1 6 DIM MILLIMETERSSimplify circuit design. _A 1.6 + 0.05_A1 1.0 + 0.05Reduce a quantity of parts and manufacturing process.2 5_B 1.6 + 0.05_B1 1.2 + 0.05C 0.503 4_D 0.2
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: 2SD1538
History: 2SD1538



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
p0603bd mosfet | p157r5nt | ptp03n04n | sm4377 mosfet datasheet | tip31c reemplazo | 2sa906 | c2389 transistor | c2634 transistor