Биполярный транзистор KTX215E Даташит. Аналоги
Наименование производителя: KTX215E
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TES6
Аналог (замена) для KTX215E
KTX215E Datasheet (PDF)
ktx215e.pdf

KTX215ESEMICONDUCTORTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP/NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BB1FEATURESIncluding two devices in TES6.1 6 DIM MILLIMETERS(Thin Extreme Super mini type with 6 leads.) _A 1.6 + 0.05_A1 1.0 + 0.05With Built-in bias resistors. 2 5_B 1.6 + 0.05_B1 1.2 + 0.05Simplify circuit design.
ktx215u.pdf

KTX215USEMICONDUCTORTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP/NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION.BFEATURESB1Including two devices in US6.DIM MILLIMETERS1 6_(Ultra Super mini type with 6 leads.) A 2.00 + 0.20_2 5 A1 1.3 + 0.1With Built-in bias resistors. _B 2.1 + 0.13 4 D _B1 1.25 + 0.1Simplify circuit design.
ktx213e.pdf

KTX213ESEMICONDUCTORTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP/NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BB1FEATURESIncluding two devices in TES6.1 6 DIM MILLIMETERS(Thin Extreme Super mini type with 6 leads.) _A 1.6 + 0.05_A1 1.0 + 0.05With Built-in bias resistors. 2 5_B 1.6 + 0.05_B1 1.2 + 0.05Simplify circuit design.
ktx213u.pdf

KTX213USEMICONDUCTORTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP/NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION.BFEATURESB1Including two devices in US6.DIM MILLIMETERS1 6_(Ultra Super mini type with 6 leads.) A 2.00 + 0.20_2 5 A1 1.3 + 0.1With Built-in bias resistors. _B 2.1 + 0.13 4 D _B1 1.25 + 0.1Simplify circuit design.
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: T1431 | MMBT5401GH | TI885 | TIP33E | L2SA1036KRLT1G | MMBTA42LT1 | 2SC4146
History: T1431 | MMBT5401GH | TI885 | TIP33E | L2SA1036KRLT1G | MMBTA42LT1 | 2SC4146



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики | k2837 datasheet