KTX215E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KTX215E  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TES6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KTX215E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTX215E даташит

 ..1. Size:52K  kec
ktx215e.pdfpdf_icon

KTX215E

KTX215E SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP/NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES Including two devices in TES6. 1 6 DIM MILLIMETERS (Thin Extreme Super mini type with 6 leads.) _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 With Built-in bias resistors. 2 5 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 Simplify circuit design.

 8.1. Size:53K  kec
ktx215u.pdfpdf_icon

KTX215E

KTX215U SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP/NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 Including two devices in US6. DIM MILLIMETERS 1 6 _ (Ultra Super mini type with 6 leads.) A 2.00 + 0.20 _ 2 5 A1 1.3 + 0.1 With Built-in bias resistors. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 Simplify circuit design.

 9.1. Size:52K  kec
ktx213e.pdfpdf_icon

KTX215E

KTX213E SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP/NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES Including two devices in TES6. 1 6 DIM MILLIMETERS (Thin Extreme Super mini type with 6 leads.) _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 With Built-in bias resistors. 2 5 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 Simplify circuit design.

 9.2. Size:52K  kec
ktx213u.pdfpdf_icon

KTX215E

KTX213U SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP/NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 Including two devices in US6. DIM MILLIMETERS 1 6 _ (Ultra Super mini type with 6 leads.) A 2.00 + 0.20 _ 2 5 A1 1.3 + 0.1 With Built-in bias resistors. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 Simplify circuit design.

Другие транзисторы: KTX101U, KTX102E, KTX102U, KTX103E, KTX111T, KTX112T, KTX201E, KTX201U, S8550, KTX216U, KTX301E, KTX301U, KTX302U, KTX303U, KTX311T, KTX312T, KTX321U