KTX412T - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

KTX412T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KTX412T
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 210 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: TSV

 Аналоги (замена) для KTX412T

 

KTX412T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:408K  kec
ktx412t.pdfpdf_icon

KTX412T

KTX412T SEMICONDUCTOR EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE DIODE GENERAL PURPOSE APPLICATION. ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. E B FEATURES DIM MILLIMETERS _ A 2.9 + 0.2 15 Including two(TR, Diode) devices in TSV. B 1.6+0.2/-0.1 _ C 0.70 + 0.05 (Thin Super Mini type with 5 pin) 2 _ D 0.4 + 0.1 Simplify circuit design. E 2.8+0

 9.1. Size:46K  kec
ktx411t.pdfpdf_icon

KTX412T

KTX411T SEMICONDUCTOR EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE DIODE GENERAL PURPOSE APPLICATION. ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. E B FEATURES DIM MILLIMETERS _ A 2.9 + 0.2 15 Including two(TR, Diode) devices in TSV. B 1.6+0.2/-0.1 _ C 0.70 + 0.05 (Thin Super Mini type with 5 pin) 2 _ D 0.4 + 0.1 Simplify circuit design. E 2.8+0

Другие транзисторы... KTX311T , KTX312T , KTX321U , KTX401E , KTX401U , KTX402U , KTX403U , KTX411T , TIP127 , KTX421U , KTX511T , KTX512T , KTX711T , KTX811T , KTX955T , MJD112L , MJD117L .

History: CS2483

 

 
Back to Top

 


 
.