Справочник транзисторов. KTX412T

 

Биполярный транзистор KTX412T Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KTX412T
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 210 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: TSV
 

 Аналог (замена) для KTX412T

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTX412T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:408K  kec
 ktx412t.pdf pdf_icon

KTX412T

KTX412TSEMICONDUCTOREPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORTECHNICAL DATASILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE DIODEGENERAL PURPOSE APPLICATION.ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION.EBFEATURES DIM MILLIMETERS_A 2.9 + 0.215Including two(TR, Diode) devices in TSV.B 1.6+0.2/-0.1_C 0.70 + 0.05(Thin Super Mini type with 5 pin)2_D 0.4 + 0.1Simplify circuit design. E 2.8+0

 9.1. Size:46K  kec
 ktx411t.pdf pdf_icon

KTX412T

KTX411TSEMICONDUCTOREPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORTECHNICAL DATASILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE DIODEGENERAL PURPOSE APPLICATION.ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION.EBFEATURES DIM MILLIMETERS_A 2.9 + 0.215Including two(TR, Diode) devices in TSV.B 1.6+0.2/-0.1_C 0.70 + 0.05(Thin Super Mini type with 5 pin)2_D 0.4 + 0.1Simplify circuit design. E 2.8+0

Другие транзисторы... KTX311T , KTX312T , KTX321U , KTX401E , KTX401U , KTX402U , KTX403U , KTX411T , 2SC945 , KTX421U , KTX511T , KTX512T , KTX711T , KTX811T , KTX955T , MJD112L , MJD117L .

History: 2SA712 | CHDTC144EEGP

 

 
Back to Top

 


 
.