KTX412T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KTX412T  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 210 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TSV

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KTX412T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTX412T даташит

 ..1. Size:408K  kec
 ktx412t.pdf pdf_icon

KTX412T

KTX412T SEMICONDUCTOR EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE DIODE GENERAL PURPOSE APPLICATION. ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. E B FEATURES DIM MILLIMETERS _ A 2.9 + 0.2 15 Including two(TR, Diode) devices in TSV. B 1.6+0.2/-0.1 _ C 0.70 + 0.05 (Thin Super Mini type with 5 pin) 2 _ D 0.4 + 0.1 Simplify circuit design. E 2.8+0

 9.1. Size:46K  kec
 ktx411t.pdf pdf_icon

KTX412T

KTX411T SEMICONDUCTOR EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE DIODE GENERAL PURPOSE APPLICATION. ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. E B FEATURES DIM MILLIMETERS _ A 2.9 + 0.2 15 Including two(TR, Diode) devices in TSV. B 1.6+0.2/-0.1 _ C 0.70 + 0.05 (Thin Super Mini type with 5 pin) 2 _ D 0.4 + 0.1 Simplify circuit design. E 2.8+0

Другие транзисторы: KTX311T, KTX312T, KTX321U, KTX401E, KTX401U, KTX402U, KTX403U, KTX411T, TIP127, KTX421U, KTX511T, KTX512T, KTX711T, KTX811T, KTX955T, MJD112L, MJD117L