MMBTA517 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMBTA517  📄📄 

Маркировка: UA

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 220 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30000

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MMBTA517

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBTA517 даташит

 ..1. Size:162K  kec
mmbta517.pdfpdf_icon

MMBTA517

SEMICONDUCTOR MMBTA517 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE HIGH DARLINGTON TRANSISTOR. E L B L DIM MILLIMETERS _ + 2.93 0.20 A B 1.30+0.20/-0.15 C 1.30 MAX 2 3 D 0.45+0.15/-0.05 E 2.40+0.30/-0.20 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) 1 G 1.90 H 0.95 CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT J 0.13+0.10/-0.05 K 0.00 0.10 VCBO Collector-Base Voltage 40 V L 0.55 P P

 8.1. Size:77K  motorola
mmbta55l mmbta56.pdfpdf_icon

MMBTA517

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBTA55LT1/D Driver Transistors MMBTA55LT1 COLLECTOR PNP Silicon 3 MMBTA56LT1* *Motorola Preferred Device 1 BASE 2 EMITTER MAXIMUM RATINGS 3 Rating Symbol MMBTA55 MMBTA56 Unit 1 Collector Emitter Voltage VCEO 60 80 Vdc 2 Collector Base Voltage VCBO 60 80 Vdc Emitter Base Voltage VEBO 4.0 Vdc

 8.2. Size:2028K  fairchild semi
mpsa55 mmbta55 pzta55.pdfpdf_icon

MMBTA517

MPSA55 MMBTA55 PZTA55 C C E E C B C TO-92 B SOT-23 B SOT-223 E Mark 2H PNP General Purpose Amplifier Absolute Maximum Ratings* Symbol Parameter Value Units VCES Collector-Emitter Voltage

 8.3. Size:1073K  fairchild semi
mpsa56 mmbta56 pzta56.pdfpdf_icon

MMBTA517

February 2006 MPSA56/MMBTA56/PZTA56 PNP General Purpose Amplifier Description This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300mA. Sourced from Process 73 Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise specified. Parameter Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage VCES -80 V Collector-Base Voltage VCBO -80 V Emitter-Base Voltag

Другие транзисторы: MJE13003HV, MJE13004D, MJE13005D, MJE13005DF, MJE13005F, MJE13007F, MJE13009F, MJE5555, 2N4401, MPS8050, MPS8050S, MPS8550, MPS8550S, MPSA94A, TIP112F, TIP117F, TIP31CF