KRA101S. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: KRA101S
Маркировка: PA
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: SOT-23
Аналоги (замена) для KRA101S
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KRA101S даташит
kra101s-kra106s.pdf
SEMICONDUCTOR KRA101S KRA106S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS With Built-in Bias Resistors. _ + A 2.93 0.20 B 1.30+0.20/-0.15 Simplify Circuit Design. C 1.30 MAX 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. E 2.40+0.30/-0
kra101s-106s.pdf
SMD Type Transistors PNP Transistors KRA101S KRA106S SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. 1 2 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 1.IN(B) 2.COMMON(E) 3.OUT(C) BIAS RESISTOR VALUES TYPE NO. R1(k ) R2(k ) OUT KRA101S
kra101m-kra106m.pdf
SEMICONDUCTOR KRA101M KRA106M TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS O A 3.20 MAX Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. H M B 4.30 MAX C 0.55 MAX _ D 2.40 + 0.15 E 1.27 F 2.30 C _ + G 14.00
kra101-kra106.pdf
SEMICONDUCTOR KRA101 KRA106 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B C FEATURES With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. N DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D D 0.45 E 1.00 F 1.27 G 0.85 H 0.45 _ H
Другие транзисторы: TIP36CA, TIP41CF, TIP42CF, KTC2874, KTC2875, KTC2876, KTC812T, KTC814U, 431, KRA102S, KRA103, KRA103S, KRA104, KRA104S, KRA105, KRA105S, KRA106
History: BD830-10 | 2SD471AY | HBNP54S6R
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3055 | irfp260n | 2n2222 datasheet | irf9540 | 2n3055 datasheet | 2sc945 | irfp250n | irf9540n




