KRA114. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KRA114

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для KRA114

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRA114 даташит

 0.1. Size:391K  kec
 kra110s-kra114s.pdf pdf_icon

KRA114

SEMICONDUCTOR KRA110S KRA114S EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS _ + A 2.93 0.20 With Built-in Bias Resistors. B 1.30+0.20/-0.15 Simplify Circuit Design. C 1.30 MAX 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. E 2.40+0.30/

 0.2. Size:389K  kec
 kra110m-kra114m.pdf pdf_icon

KRA114

SEMICONDUCTOR KRA110M KRA114M EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS O A 3.20 MAX Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. H M B 4.30 MAX C 0.55 MAX _ D 2.40 + 0.15 E 1.27 F 2.30 C _ + G 14.

 0.3. Size:382K  kec
 kra110m kra111m kra112m kra113m kra114m.pdf pdf_icon

KRA114

 0.4. Size:46K  kec
 kra110-kra114.pdf pdf_icon

KRA114

SEMICONDUCTOR KRA110 KRA114 EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B C FEATURES With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. N DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D D 0.45 E 1.00 F 1.27 EQUIVALENT CIRCUIT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KRA110S, KRA111, KRA111S, KRA112, KRA112S, KRA113, KRA113M, KRA113S, TIP41, KRA114S, KRA116, KRA116S, KRA117, KRA117M, KRA117S, KRA118, KRA118S