KRA306. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KRA306

Маркировка: PF

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: USM

 Аналоги (замена) для KRA306

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRA306 даташит

 0.1. Size:67K  kec
 kra301e-kra306e.pdf pdf_icon

KRA306

SEMICONDUCTOR KRA301E KRA306E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E FEATURES B DIM MILLIMETERS With Built-in Bias Resistors. _ + A 1.60 0.10 D Simplify Circuit Design. _ + 2 B 0.85 0.10 _ + C 0.70 0.10 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 3 1 D 0.27+0.10/-0.05 _

 0.2. Size:107K  kec
 kra301v-kra306v 1.pdf pdf_icon

KRA306

SEMICONDUCTOR KRA301V KRA306V TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E FEATURES B With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS 2 _ Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. A 1.2 +0.05 _ B 0.8 +0.05 High Packing Density. 1 3 _ C 0.5 + 0.05 _ D 0.3 + 0.05

 0.3. Size:388K  kec
 kra301-kra306.pdf pdf_icon

KRA306

SEMICONDUCTOR KRA301 KRA306 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E FEATURES M B M DIM MILLIMETERS With Built-in Bias Resistors. _ + A 2.00 0.20 D 2 _ Simplify Circuit Design. B 1.25 + 0.15 _ + C 0.90 0.10 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 3 1 D 0.3+0.10/-0.05 _

 0.4. Size:422K  kec
 kra301v-kra306v.pdf pdf_icon

KRA306

SEMICONDUCTOR KRA301V KRA306V TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E FEATURES B With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS 2 _ Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. A 1.2 +0.05 _ B 0.8 +0.05 High Packing Density. 1 3 _ C 0.5 + 0.05 _ D 0.3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KRA303E, KRA303V, KRA304, KRA304E, KRA304V, KRA305, KRA305E, KRA305V, 2SD313, KRA306E, KRA306V, KRA307E, KRA307V, KRA308E, KRA308V, KRA309E, KRA309V