Биполярный транзистор KRA306 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KRA306
Маркировка: PF
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: USM
KRA306 Datasheet (PDF)
kra301e-kra306e.pdf
SEMICONDUCTOR KRA301E~KRA306ETECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. EFEATURES BDIM MILLIMETERSWith Built-in Bias Resistors._+A 1.60 0.10DSimplify Circuit Design. _+2 B 0.85 0.10_+C 0.70 0.10Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.31D 0.27+0.10/-0.05_
kra301v-kra306v 1.pdf
SEMICONDUCTOR KRA301V~KRA306VTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. EFEATURES BWith Built-in Bias Resistors.Simplify Circuit Design.DIM MILLIMETERS2_Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. A 1.2 +0.05_B 0.8 +0.05High Packing Density. 13_C 0.5 + 0.05_D 0.3 + 0.05
kra301-kra306.pdf
SEMICONDUCTOR KRA301~KRA306TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. EFEATURES M B MDIM MILLIMETERSWith Built-in Bias Resistors._+A 2.00 0.20D2_Simplify Circuit Design.B 1.25 + 0.15_+C 0.90 0.10Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 31D 0.3+0.10/-0.05_
kra301v-kra306v.pdf
SEMICONDUCTOR KRA301V~KRA306VTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. EFEATURES BWith Built-in Bias Resistors.Simplify Circuit Design.DIM MILLIMETERS2_Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. A 1.2 +0.05_B 0.8 +0.05High Packing Density. 13_C 0.5 + 0.05_D 0.3
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050