KRA310E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KRA310E

Маркировка: PK

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: ESM

 Аналоги (замена) для KRA310E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRA310E даташит

 0.1. Size:56K  kec
 kra310e-kra314e.pdf pdf_icon

KRA310E

SEMICONDUCTOR KRA310E KRA314E EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E FEATURES B DIM MILLIMETERS With Built-in Bias Resistors. _ + A 1.60 0.10 D Simplify Circuit Design. _ + 2 B 0.85 0.10 _ + C 0.70 0.10 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 3 1 D 0.27+0.10/-0.05 _ High P

 0.2. Size:389K  kec
 kra310e-kra314e 1.pdf pdf_icon

KRA310E

SEMICONDUCTOR KRA310E KRA314E EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E FEATURES B DIM MILLIMETERS With Built-in Bias Resistors. _ + A 1.60 0.10 D Simplify Circuit Design. _ + 2 B 0.85 0.10 _ + C 0.70 0.10 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 3 1 D 0.27+0.10/-0.05 _

 8.1. Size:368K  kec
 kra310-kra314.pdf pdf_icon

KRA310E

SEMICONDUCTOR KRA310 KRA314 EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E M B M FEATURES DIM MILLIMETERS With Built-in Bias Resistors. _ + A 2.00 0.20 D 2 _ + B 1.25 0.15 Simplify Circuit Design. _ + C 0.90 0.10 3 1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. D 0.3+0.10/-0.05 _

 8.2. Size:48K  kec
 kra310v-kra314v.pdf pdf_icon

KRA310E

SEMICONDUCTOR KRA310V KRA314V EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E FEATURES B With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS 2 _ Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. A 1.2 +0.05 _ B 0.8 +0.05 High Packing Density. 1 3 _ C 0.5 + 0.05 _ D 0.3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KRA306V, KRA307E, KRA307V, KRA308E, KRA308V, KRA309E, KRA309V, KRA310, 2SB817, KRA310V, KRA311, KRA311E, KRA311V, KRA312, KRA312E, KRA312V, KRA313