2N6006 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N6006

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 165 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250

 Аналоги (замена) для 2N6006

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N6006 даташит

 9.1. Size:395K  lrc
 l2n600.pdf pdf_icon

2N6006

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. 600V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 600V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@1A = 3.8 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 1/5 LESHAN RADIO COMPANY, LTD. L2N600 Electrical Characteristics Tc = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit Off Characteristics Drain-Source Breakdown Voltage

 9.2. Size:1285K  sprague
 2n5419 2n5420 2n5550 2n5551 2n5830 2n5831 2n5832 2n5998 2n5999 2n6008 2n6009 2n6076 2n6426 2n6427.pdf pdf_icon

2N6006

Другие транзисторы: 2N60, 2N600, 2N6000, 2N6001, 2N6002, 2N6003, 2N6004, 2N6005, TIP41C, 2N6007, 2N6008, 2N6009, 2N601, 2N6010, 2N6011, 2N6012, 2N6013