Справочник транзисторов. 2N602A

 

Биполярный транзистор 2N602A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2N602A
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.12 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N602A

 

 

2N602A Datasheet (PDF)

 9.1. Size:120K  motorola
2n6027 2n6028.pdf

2N602A
2N602A

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N6027/D2N6027Programmable2N6028Unijunction TransistorsSilicon Programmable Unijunction Transistors. . . designed to enable the engineer to program unijunction characteristics such asPUTsRBB, , IV, and IP by merely selecting two resistor values. Application includes40 VOLTSthyristor-trigger, oscillator,

 9.2. Size:67K  central
2n5629 2n5630 2n6029 2n6030.pdf

2N602A

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 9.3. Size:148K  onsemi
2n6027 2n6028.pdf

2N602A
2N602A

2N6027, 2N6028Preferred DeviceProgrammableUnijunction TransistorProgrammable UnijunctionTransistor TriggersDesigned to enable the engineer to program unijunction http://onsemi.comcharacteristics such as RBB, , IV, and IP by merely selecting tworesistor values. Application includes thyristortrigger, oscillator, pulsePUTsand timing circuits. These devices may als

 9.4. Size:104K  jmnic
2n6029 2n6030.pdf

2N602A
2N602A

Product Specification www.jmnic.com Silicon PNP Power Transistors 2N6029 2N6030 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2N5629 2N5630 APPLICATIONS For high voltage and high power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Emitter3 CollectorFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL PARAMETER CONDITI

 9.5. Size:131K  inchange semiconductor
2n6029 2n6030.pdf

2N602A
2N602A

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6029 2N6030 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2N5629 2N5630 High power dissipations APPLICATIONS For high voltage and high power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol3 CollectorAbsolute maximum rating

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top