Биполярный транзистор KRC828E - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KRC828E
Маркировка: YI
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: TES6
- подбор биполярного транзистора по параметрам
KRC828E Datasheet (PDF)
krc827e-krc829e.pdf
![pdf_icon](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SEMICONDUCTOR KRC827E~KRC829EEPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORTECHNICAL DATASWITCHING APPLICATION. BINTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B1FEATURESWith Built-in Bias Resistors.1 6 DIM MILLIMETERS_A 1.6 + 0.05Simplify Circuit Design._A1 1.0 + 0.052 5_B 1.6 + 0.05Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process._B1 1.2 + 0.05High Packing De
krc827f-krc829f.pdf
![pdf_icon](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SEMICONDUCTOR KRC827F~KRC829FEPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORTECHNICAL DATASWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BB1FEATURES1 6With Built-in Bias Resistors.DIM MILLIMETERSSimplify Circuit Design._2 5+A 1.0 0.05_+A1 0.7 0.05Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process._+B 1.0 0.053_+High Packing
krc821e-krc826e.pdf
![pdf_icon](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SEMICONDUCTOR KRC821E~KRC826ETECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION.INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BB1FEATURES With Built-in Bias Resistors.1 6 DIM MILLIMETERSSimplify Circuit Design. _A 1.6 + 0.05_A1 1.0 + 0.05Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 52_B 1.6 + 0.05_B1 1.2 + 0.05High Packing Densit
krc821f-krc824f.pdf
![pdf_icon](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SEMICONDUCTOR KRC821F~KRC824FTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BB1FEATURES With Built-in Bias Resistors.1 6Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS_2 5+A 1.0 0.05Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process._+A1 0.7 0.05_+B 1.0 0.05High Packing Density.
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
![KRC828E](https://alltransistors.com/images/us.png)
![KRC828E](https://alltransistors.com/images/es.png)
![KRC828E](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050