Справочник транзисторов. KRC828E

 

Биполярный транзистор KRC828E - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: KRC828E
   Маркировка: YI
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: TES6
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

 

KRC828E Datasheet (PDF)

 9.1. Size:49K  kec
krc827e-krc829e.pdf pdf_icon

KRC828E
KRC828E

SEMICONDUCTOR KRC827E~KRC829EEPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORTECHNICAL DATASWITCHING APPLICATION. BINTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B1FEATURESWith Built-in Bias Resistors.1 6 DIM MILLIMETERS_A 1.6 + 0.05Simplify Circuit Design._A1 1.0 + 0.052 5_B 1.6 + 0.05Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process._B1 1.2 + 0.05High Packing De

 9.2. Size:391K  kec
krc827f-krc829f.pdf pdf_icon

KRC828E
KRC828E

SEMICONDUCTOR KRC827F~KRC829FEPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORTECHNICAL DATASWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BB1FEATURES1 6With Built-in Bias Resistors.DIM MILLIMETERSSimplify Circuit Design._2 5+A 1.0 0.05_+A1 0.7 0.05Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process._+B 1.0 0.053_+High Packing

 9.3. Size:72K  kec
krc821e-krc826e.pdf pdf_icon

KRC828E
KRC828E

SEMICONDUCTOR KRC821E~KRC826ETECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION.INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BB1FEATURES With Built-in Bias Resistors.1 6 DIM MILLIMETERSSimplify Circuit Design. _A 1.6 + 0.05_A1 1.0 + 0.05Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 52_B 1.6 + 0.05_B1 1.2 + 0.05High Packing Densit

 9.4. Size:512K  kec
krc821f-krc824f.pdf pdf_icon

KRC828E
KRC828E

SEMICONDUCTOR KRC821F~KRC824FTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BB1FEATURES With Built-in Bias Resistors.1 6Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS_2 5+A 1.0 0.05Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process._+A1 0.7 0.05_+B 1.0 0.05High Packing Density.

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top