KRX102U. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: KRX102U
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80
Корпус транзистора: USV
Аналоги (замена) для KRX102U
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KRX102U даташит
krx102u.pdf
KRX102U SEMICONDUCTOR EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 Including two devices in USV. 1 5 DIM MILLIMETERS _ (Ultra Super mini type with 5 leads.) A 2.00 + 0.20 2 _ A1 1.3 + 0.1 With Built-in bias resistors. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 Simplify circuit desi
krx102f.pdf
KRX102F SEMICONDUCTOR EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. B INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B1 FEATURES 1 5 Including two devices in TFSV. DIM MILLIMETERS (Thin Fine Pitch Super mini 5pin Package.) 2 _ + A 1.0 0.05 _ + A1 0.7 0.05 With Built-in bias resistors. _ + B 1.0 0.05 3 _ Simplify circuit design. 4 + B1
krx102e.pdf
KRX102E SEMICONDUCTOR EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES Including two devices in TESV. (Thin Extreme Super mini type with 5 pin.) 1 5 DIM MILLIMETERS _ A 1.6 0.05 + With Built-in bias resistors. _ + A1 1.0 0.05 2 _ + B 1.6 0.05 Simplify circuit design. _ + B1 1.2
krx101u.pdf
KRX101U SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 Including two devices in USV. 1 5 DIM MILLIMETERS _ (Ultra Super mini type with 5 leads.) A 2.00 + 0.20 2 _ A1 1.3 + 0.1 With Built-in bias resistors. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 Simplify circuit design. C
Другие транзисторы: KRC883T, KRC884T, KRC885T, KRC886T, KRX101E, KRX101U, KRX102E, KRX102F, SS8050, KRX103E, KRX103U, KRX104E, KRX104U, KRX105E, KRX105U, KRX201E, KRX201U
History: ED1801L | BF262 | SZD1386 | 2SC2475 | 2N5712 | 2N1657 | LMBT3904DW1T1G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802 | bu508a | bc560c











