KTC3544S. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: KTC3544S
Маркировка: HN
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 19 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200
Корпус транзистора: SOT-23
Аналоги (замена) для KTC3544S
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KTC3544S даташит
ktc3544s.pdf
SEMICONDUCTOR KTC3544S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR RELAY DRIVERS, LAMP DRIVERS, MOTOR DRIVERS AND STROBES APPLICATION. FEATURES E Adoption of MBIT Processes. L B L DIM MILLIMETERS Large Current Capacitance. _ + A 2.93 0.20 B 1.30+0.20/-0.15 Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage. C 1.30 MAX 2 High Speed Switching. 3 D 0.40+0.15/-0.05 E 2.40+0.30
ktc3544t.pdf
SEMICONDUCTOR KTC3544T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR RELAY DRIVERS, LAMP DRIVERS, MOTOR DRIVERS AND STROBES APPLICATION. E B FEATURES K DIM MILLIMETERS Adoption of MBIT Processes. _ A 2.9 + 0.2 B 1.6+0.2/-0.1 Large Current Capacitance. _ C 0.70 + 0.05 2 3 Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage. _ D 0.4 + 0.1 E 2.8+0.2/-0.3 High Speed Switching. _ F 1.
ktc3541t.pdf
SEMICONDUCTOR KTC3541T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR RELAY DRIVERS, LAMP DRIVERS, MOTOR DRIVERS AND STROBES APPLICATION. E B FEATURES K DIM MILLIMETERS Adoption of MBIT Processes. _ A 2.9 + 0.2 B 1.6+0.2/-0.1 Large Current Capacitance. _ C 0.70 + 0.05 2 3 Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage. _ D 0.4 + 0.1 E 2.8+0.2/-0.3 High Speed Switching. _ F 1.
ktc3542t.pdf
SEMICONDUCTOR KTC3542T TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR RELAY DRIVERS, LAMP DRIVERS, MOTOR DRIVERS, STROBES APPLICATION. E B FEATURES K DIM MILLIMETERS Adoption of MBIT Processes. _ A 2.9 + 0.2 B 1.6+0.2/-0.1 Large Current Capacitance. _ C 0.70 + 0.05 2 3 Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage. _ D 0.4 + 0.1 E 2.8+0.2/-0.3 High-Speed Switching. _ F 1.9 +
Другие транзисторы: KTC4075F, KTC4380, KTC8050A, KTC9014A, KTA1266A, KTA1271A, KTA2013F, KTA2014F, TIP127, KTC8550A, KTC9015A, KRC110, KRC110M, KRC111, KRC111M, KRC112, KRC112M
History: 2SC877
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1080 | 2sb618 | 2sc1328 | 2sc1845 transistor | a933 transistor datasheet | a1633 transistor | 2sa844 | 2sc1327





