2SC4081RT1 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор 2SC4081RT1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2SC4081RT1
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
   Корпус транзистора: SOT-323

Аналоги (замена) для 2SC4081RT1

2SC4081RT1 Datasheet (PDF)

0.1. Size:42K onsemi
2sc4081rt1-d.pdf

2SC4081RT1General PurposeAmplifier TransistorNPN Surface Mounthttp://onsemi.comFeatures Moisture Sensitivity Level: 1COLLECTOR Pb-Free Package is Available3MAXIMUM RATINGS (TA = 25C)Rating Symbol Value UnitCollector-Base Voltage V(BR)CBO 60 VdcCollector-Emitter Voltage V(BR)CEO 50 Vdc1 2BASE EMITTEREmitter-Base Voltage V(BR)EBO 7.0 VdcCollector Current

0.2. Size:185K lrc
l2sc4081qt1g l2sc4081rt1g l2sc4081st1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsNPN SiliconL2SC4081QT1G SeriesFEATURE Low Cob,Cob=2pF(Typ.).S-L2SC4081QT1G Series Epitaxial planar type. PNP complement:L2SA1576A We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101

0.3. Size:185K lrc
l2sc4081qt1g l2sc4081qt3g l2sc4081rt1g l2sc4081rt3g l2sc4081st1g l2sc4081st3g.pdf