8050QLT1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 8050QLT1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для 8050QLT1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

8050QLT1 даташит

 ..1. Size:404K  willas
8050plt1 8050qlt1 8050rlt1.pdfpdf_icon

8050QLT1

FM120-M WILLAS THRU 8050xLT1 General Purpose Transistors FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V SOD-123 PACKAGE Pb Free Product Package outline Features Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance. SOD-123H Low profile surface mounted application in order to NPN Silicon

 0.1. Size:211K  lrc
lh8050qlt1g.pdfpdf_icon

8050QLT1

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors LH8050PLT1G Series NPN Silicon S-LH8050PLT1G FEATURE Series High current capacity in compact package. IC =1.5A. 3 Epitaxial planar type. NPN complement LH8050 Pb-Free Package is available. 1 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and 2 Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and

 0.2. Size:211K  lrc
lh8050plt1g lh8050plt3g lh8050qlt1g lh8050qlt3g.pdfpdf_icon

8050QLT1

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors LH8050PLT1G Series NPN Silicon S-LH8050PLT1G FEATURE Series High current capacity in compact package. IC =1.5A. 3 Epitaxial planar type. NPN complement LH8050 Pb-Free Package is available. 1 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and 2 Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and

 0.3. Size:64K  lrc
lx8050qlt1g.pdfpdf_icon

8050QLT1

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors LX8050PLT1G NPN Silicon Series S-LX8050PLT1G FEATURE Series High current capacity in compact package. IC = 0.5A. Epitaxial planar type. 3 NPN complement LX8050 Pb-Free Package is available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and 1 Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP

Другие транзисторы: 2SC2411KRLT1, 2SC2412KQLT1, 2SC2412KRLT1, 2SC2412KSLT1, 2SC4081QT1, 2SC4081RT1, 2SC4081ST1, 8050HQLT1, NJW0281G, 8050SLT1, 8550HQLT1, 8550QLT1, 8550SLT1, 9013PLT1, 9013QLT1, 9013RLT1, 9013SLT1