8550HQLT1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 8550HQLT1

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для 8550HQLT1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

8550HQLT1 даташит

 0.1. Size:84K  lrc
l8550hplt1g l8550hqlt1g l8550hrlt1g l8550hslt1g.pdfpdf_icon

8550HQLT1

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors L8550HPLT1G Series PNP Silicon S-L8550HPLT1G FEATURE Series High current capacity in compact package. Epitaxial planar type. PNP complement L8550H 3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 1 and Control Change Requir

 0.2. Size:85K  lrc
l8550hqlt1g.pdfpdf_icon

8550HQLT1

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors L8550HPLT1G Series PNP Silicon S-L8550HPLT1G FEATURE Series High current capacity in compact package. Epitaxial planar type. PNP complement L8550H 3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 1 and Control Change Requir

 0.3. Size:84K  lrc
l8550hplt1g l8550hplt3g l8550hqlt1g l8550hqlt3g l8550hrlt1g l8550hrlt3g l8550hslt1g l8550hslt3g.pdfpdf_icon

8550HQLT1

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors L8550HPLT1G Series PNP Silicon S-L8550HPLT1G FEATURE Series High current capacity in compact package. Epitaxial planar type. PNP complement L8550H 3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 1 and Control Change Requir

Другие транзисторы: 2SC2412KRLT1, 2SC2412KSLT1, 2SC4081QT1, 2SC4081RT1, 2SC4081ST1, 8050HQLT1, 8050QLT1, 8050SLT1, 2SD669A, 8550QLT1, 8550SLT1, 9013PLT1, 9013QLT1, 9013RLT1, 9013SLT1, 9014QLT1, 9014RLT1