9013PLT1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 9013PLT1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для 9013PLT1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

9013PLT1 даташит

 ..1. Size:276K  willas
 9013plt1 9013qlt1 9013rlt1 9013slt1.pdf pdf_icon

9013PLT1

FM120-M WILLAS THRU 9013xLT1 General Purpose Transistors FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V SOD-123 PACKAGE Pb Free Product NPN Silicon Package outline Features Batch process design, excellent power dissipation offers FEATURE better reverse leakage current and thermal resistance. SOD-123H We declare that the material of product complianc

 0.1. Size:155K  lrc
 l9013plt1g.pdf pdf_icon

9013PLT1

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon L9013PLT1G FEATURE We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. Series S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. S-L9013PLT1G Series DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking

 0.2. Size:155K  lrc
 l9013plt1g l9013plt3g l9013qlt1g l9013qlt3g l9013rlt1g l9013rlt3g l9013slt1g l9013slt3g s-l9013plt1g s-l9013plt3g s-l9013qlt1g s-l9013qlt3g s-l9013rlt1g s-l9013rlt3g s-9013slt1g sl9013slt3g.pdf pdf_icon

9013PLT1

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon L9013PLT1G FEATURE We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. Series S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. S-L9013PLT1G Series DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking

 0.3. Size:151K  lrc
 l9013plt1g l9013plt3g l9013qlt1g l9013qlt3g l9013rlt1g l9013rlt3g l9013slt1g l9013slt3g.pdf pdf_icon

9013PLT1

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon L9013PLT1G FEATURE We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. Series S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. S-L9013PLT1G Series DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking Sh

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC4081RT1, 2SC4081ST1, 8050HQLT1, 8050QLT1, 8050SLT1, 8550HQLT1, 8550QLT1, 8550SLT1, 2SC2240, 9013QLT1, 9013RLT1, 9013SLT1, 9014QLT1, 9014RLT1, 9014SLT1, BC807-40WT1, BC817-40WT1