BCW66GLT1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCW66GLT1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для BCW66GLT1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCW66GLT1 даташит

 ..1. Size:285K  willas
bcw66glt1.pdfpdf_icon

BCW66GLT1

FM120-M WILLAS BCW66GLT1THRU General Purpose Transistors FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V SOD-123 PACKAGE Pb Free Produc Package outline Features NPN Silicon Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and the We declare that the material of product rmal resistance. SOD-123H Low profile

 0.1. Size:103K  onsemi
sbcw66glt1g.pdfpdf_icon

BCW66GLT1

BCW66GLT1G, SBCW66GLT1G General Purpose Transistor NPN Silicon http //onsemi.com Features AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS SOT-23 Compliant* (TO-236) CASE 318-08 STYLE 6 MAXIMUM RATINGS COLLECTOR Ratin

 0.2. Size:88K  onsemi
bcw66glt1g.pdfpdf_icon

BCW66GLT1

BCW66GLT1G, SBCW66GLT1G General Purpose Transistor NPN Silicon http //onsemi.com Features AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS SOT-23 Compliant* (TO-236) CASE 318-08 STYLE 6 MAXIMUM RATINGS COLLECTOR Ratin

 0.3. Size:110K  onsemi
bcw66glt1-d.pdfpdf_icon

BCW66GLT1

BCW66GLT1G General Purpose Transistor NPN Silicon Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS http //onsemi.com Compliant COLLECTOR 3 1 BASE MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit EMITTER Collector-Emitter Voltage VCEO 45 Vdc Collector-Base Voltage VCBO 75 Vdc 3 Emitter-Base Voltage VEBO 5.0 Vdc SOT-23 CASE 318 Collector Current - Continuo

Другие транзисторы: 9013QLT1, 9013RLT1, 9013SLT1, 9014QLT1, 9014RLT1, 9014SLT1, BC807-40WT1, BC817-40WT1, MPSA42, BCW68GLT1, MMBT2222ADW1T1, MMBT2222ALT1, MMBT2222ATT1, MMBT2222AWT1, MMBT2907ADW1T1, MMBT2907AWT1, MMBT3904DW1T1