MMBT2907AWT1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMBT2907AWT1

Маркировка: 2F

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-323

 Аналоги (замена) для MMBT2907AWT1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT2907AWT1 даташит

 ..1. Size:279K  willas
 mmbt2907awt1.pdf pdf_icon

MMBT2907AWT1

FM120-M WILLAS THRU MMBT2907AWT1 FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V General Purpose Transistor SOD-123 PACKAGE Pb Free Product Package outline Features Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance. SOD-123H PNP Silicon Low profile surface mounted application in order t

 0.1. Size:76K  motorola
 mmbt2907awt1rev0.pdf pdf_icon

MMBT2907AWT1

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBT2907AWT1/D Preliminary Information MMBT2907AWT1 General Purpose Transistor PNP Silicon Motorola Preferred Device These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT 323/SC 70 package which is designed for low power surface mount applications. COLLECTOR 3 3 1 1

 0.2. Size:50K  onsemi
 nsvmmbt2907awt1g.pdf pdf_icon

MMBT2907AWT1

MMBT2907AWT1G, NSVMMBT2907AWT1G General Purpose Transistor PNP Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier http //onsemi.com applications. They are housed in the SC-70/SOT-323 package which is designed for low power surface mount applications. COLLECTOR Features 3 NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Re

 0.3. Size:67K  onsemi
 mmbt2907awt1g nsvmmbt2907awt1g.pdf pdf_icon

MMBT2907AWT1

MMBT2907AWT1G, NSVMMBT2907AWT1G General Purpose Transistor PNP Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier www.onsemi.com applications. They are housed in the SC-70/SOT-323 package which is designed for low power surface mount applications. COLLECTOR Features 3 NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requ

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BC817-40WT1, BCW66GLT1, BCW68GLT1, MMBT2222ADW1T1, MMBT2222ALT1, MMBT2222ATT1, MMBT2222AWT1, MMBT2907ADW1T1, BD136, MMBT3904DW1T1, MMBT3904SLT1, MMBT3904TT1, MMBT3904WT1, MMBT3906DW1T1, MMBT3906TT1, MMBT3906WT1, MMBT3946DW1T1