MMBT4403WT1. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MMBT4403WT1
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: SOT-323
Аналоги (замена) для MMBT4403WT1
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
MMBT4403WT1 даташит
mmbt4403wt1.pdf
MMBT4403WT1G Switching Transistor PNP Silicon Features Moisture Sensitivity Level 1 http //onsemi.com ESD Rating Human Body Model; 4 kV, Machine Model; 400 V COLLECTOR These Devices are Pb--Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 3 Compliant 1 BASE MAXIMUM RATINGS 2 EMITTER Rating Symbol Value Unit Collector -- Emitter Voltage VCEO --40 Vdc 3 Collector -- Base
mmbt4403wt1.pdf
FM120-M WILLAS THRU MMBT4403WT1 General Purpose Transistors FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V SOD-123 PACKAGE Pb Free Produ Package outline Features Batc PNP etteh process design, excellent power dissipation offers Silicon b r reverse leakage current and thermal resistance. SOD-123H Low profile surface mounted application in order to
mmbt4403wt1g.pdf
MMBT4403WT1G Switching Transistor PNP Silicon Features Moisture Sensitivity Level 1 http //onsemi.com ESD Rating Human Body Model; 4 kV, Machine Model; 400 V COLLECTOR These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 3 Compliant 1 BASE MAXIMUM RATINGS 2 EMITTER Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage VCEO -40 Vdc 3 Collector-Base Voltage
mmbt4403w.pdf
MMBT4403W PNP Silicon Elektronische Bauelemente Switching Transistor RoHS Compliant Product A SOT-323 L Dim Min Max COLLECTOR A 1.800 2.200 3 S Top View B B 1.150 1.350 3 C 0.800 1.000 1 BASE D 0.300 0.400 V G 1 G 1.200 1.400 2 2 H 0.000 0.100 C EMITTER J 0.100 0.250 H J D K K 0.350 0.500 L 0.590 0.720 S 2.000 2.400 MAXIMUM RATINGS V 0.280 0.420 Rating Symb
Другие транзисторы: MMBT3904DW1T1, MMBT3904SLT1, MMBT3904TT1, MMBT3904WT1, MMBT3906DW1T1, MMBT3906TT1, MMBT3906WT1, MMBT3946DW1T1, 2SC5200, MMBT5551DW1T1, MMBT5551WT1, MMBTA94LT1, MMBTH10LT1, H2584, H2N3904, H2N3906, H2N4401
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet





