H2N4403 - описание и поиск аналогов

 

H2N4403. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H2N4403

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для H2N4403

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H2N4403 даташит

 ..1. Size:53K  hsmc
 h2n4403.pdf pdf_icon

H2N4403

Spec. No. HE6221 HI-SINCERITY Issued Date 1992.09.30 Revised Date 2004.08.13 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H2N4403 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The H2N4403 is designed for general purpose switching and amplifier applications. Features TO-92 Complementary to H2N4401 High Power Dissipation 625mW at 25 C High DC Current Gain 100-300 at 150m

 8.1. Size:53K  hsmc
 h2n4401.pdf pdf_icon

H2N4403

Spec. No. HE6215 HI-SINCERITY Issued Date 1992.09.22 Revised Date 2002.02.22 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H2N4401 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The H2N4401 is designed for general purpose switching and amplifier applications. Features TO-92 Complementary to H2N4403 High Power Dissipation 625 mW at 25 C High DC Current Gain 100-300 at 150

Другие транзисторы: MMBT5551DW1T1, MMBT5551WT1, MMBTA94LT1, MMBTH10LT1, H2584, H2N3904, H2N3906, H2N4401, 2N3055, H2N5087, H2N5401, H2N5551, H2N6388, H2N6718L, H2N6718T, H2N6718V, HA3669

 

 

 

 

↑ Back to Top
.