Справочник транзисторов. H2N4403

 

Биполярный транзистор H2N4403 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: H2N4403
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO-92
 

 Аналог (замена) для H2N4403

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H2N4403 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:53K  hsmc
 h2n4403.pdf pdf_icon

H2N4403

Spec. No. : HE6221HI-SINCERITYIssued Date : 1992.09.30Revised Date : 2004.08.13MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H2N4403PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe H2N4403 is designed for general purpose switching and amplifier applications.FeaturesTO-92 Complementary to H2N4401 High Power Dissipation: 625mW at 25C High DC Current Gain: 100-300 at 150m

 8.1. Size:53K  hsmc
 h2n4401.pdf pdf_icon

H2N4403

Spec. No. : HE6215HI-SINCERITYIssued Date : 1992.09.22Revised Date : 2002.02.22MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H2N4401NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe H2N4401 is designed for general purpose switching and amplifier applications.FeaturesTO-92 Complementary to H2N4403 High Power Dissipation: 625 mW at 25C High DC Current Gain: 100-300 at 150

Другие транзисторы... MMBT5551DW1T1 , MMBT5551WT1 , MMBTA94LT1 , MMBTH10LT1 , H2584 , H2N3904 , H2N3906 , H2N4401 , C5198 , H2N5087 , H2N5401 , H2N5551 , H2N6388 , H2N6718L , H2N6718T , H2N6718V , HA3669 .

 

 
Back to Top

 


 
.