Биполярный транзистор 2N6060 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 2N6060
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 850 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO61
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам