HBD437T - описание и поиск аналогов

 

HBD437T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HBD437T

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85

Корпус транзистора: TO-126

 Аналоги (замена) для HBD437T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HBD437T даташит

 ..1. Size:43K  hsmc
 hbd437t.pdf pdf_icon

HBD437T

Spec. No. HT200201 HI-SINCERITY Issued Date 2001.04.01 Revised Date 2005.12.02 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HBD437T COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Description The HBD437T is silison epitaxial-base NPN power transistor in TO-126 plastic package, intented for use in medium power linear and switching applications. The complementary PNP type is HBD438T. TO-126 A

 9.1. Size:41K  hsmc
 hbd438t.pdf pdf_icon

HBD437T

Spec. No. HT200206 HI-SINCERITY Issued Date 2001.04.01 Revised Date 2005.12.02 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HBD438T COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Description The HBD438T is silison epitaxial-base PNP power transistor in TO-126 plastic package, intented for use in medium power linear and switching applications. The complementary NPN type is HBD437T. TO-126 A

 9.2. Size:144K  shantou-huashan
 hbd435.pdf pdf_icon

HBD437T

 9.3. Size:145K  shantou-huashan
 hbd436.pdf pdf_icon

HBD437T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: HA8050, HA8050S, HA8550, HA8550S, HBC517, HBC847, HBC848, HBC856, A1941, HBD438T, HBF422, HBF423, HD122, HE8050, HE8050S, HE8550, HE8550S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.