HE8550. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: HE8550
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85
Корпус транзистора: TO-92
Аналоги (замена) для HE8550
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
HE8550 даташит
he8550.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD HE8550 PNP SILICON TRANSISTOR LOW VOLTAGE HIGH CURRENT SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC HE8550 is a low voltage high current small signal PNP transistor, designed for Class B push-pull 2W audio amplifier for portable radio and general purpose applications. FEATURES * Collector Current up to 1.5A * Collector-Emitter Volt
he8550.pdf
Spec. No. HE6114 HI-SINCERITY Issued Date 1992.09.30 Revised Date 2006.07.28 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HE8550 PNP Epitaxial Planar Transistor Description The HE8550 is designed for use in 2W output amplifier of portable radios in class B push-pull operation. TO-92 Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures Storage Temperature................................
he8550l.pdf
UTC HE8550 PNP EPITAXIAL SILIC ON TRANSISTOR LOW VOLTAGE HIGH CURRENT SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC HE8550 is a low voltage high current small signal PNP transistor, designed for Class B push-pull 2W audio amplifier for portable radio and general purpose applications. 1 FEATURES *Collector current up to 1.5A *Collector-Emitter voltage up to 25 V *Complimentary to
he8550s.pdf
Spec. No. HE6129 HI-SINCERITY Issued Date 1993.01.15 Revised Date 2004.07.26 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HE8550S PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HE8550S is designed for general purpose amplifier applications. Features TO-92 High DC Current gain 100-500 at IC=150mA Complementary to HE8050S Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures
Другие транзисторы: HBC856, HBD437T, HBD438T, HBF422, HBF423, HD122, HE8050, HE8050S, S9014, HE8550S, HE9014, HE9015, HI10387, HI112, HI117, HI122, HI127
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor





