HE8550S. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: HE8550S
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: TO-92
Аналоги (замена) для HE8550S
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
HE8550S даташит
he8550s.pdf
Spec. No. HE6129 HI-SINCERITY Issued Date 1993.01.15 Revised Date 2004.07.26 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HE8550S PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HE8550S is designed for general purpose amplifier applications. Features TO-92 High DC Current gain 100-500 at IC=150mA Complementary to HE8050S Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures
he8550.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD HE8550 PNP SILICON TRANSISTOR LOW VOLTAGE HIGH CURRENT SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC HE8550 is a low voltage high current small signal PNP transistor, designed for Class B push-pull 2W audio amplifier for portable radio and general purpose applications. FEATURES * Collector Current up to 1.5A * Collector-Emitter Volt
he8550l.pdf
UTC HE8550 PNP EPITAXIAL SILIC ON TRANSISTOR LOW VOLTAGE HIGH CURRENT SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC HE8550 is a low voltage high current small signal PNP transistor, designed for Class B push-pull 2W audio amplifier for portable radio and general purpose applications. 1 FEATURES *Collector current up to 1.5A *Collector-Emitter voltage up to 25 V *Complimentary to
he8550.pdf
Spec. No. HE6114 HI-SINCERITY Issued Date 1992.09.30 Revised Date 2006.07.28 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HE8550 PNP Epitaxial Planar Transistor Description The HE8550 is designed for use in 2W output amplifier of portable radios in class B push-pull operation. TO-92 Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures Storage Temperature................................
Другие транзисторы: HBD437T, HBD438T, HBF422, HBF423, HD122, HE8050, HE8050S, HE8550, BC327, HE9014, HE9015, HI10387, HI112, HI117, HI122, HI127, HI13003
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor | irf3205 reemplazo




