HE8550S - описание и поиск аналогов

 

HE8550S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HE8550S

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для HE8550S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HE8550S даташит

 ..1. Size:55K  hsmc
he8550s.pdfpdf_icon

HE8550S

Spec. No. HE6129 HI-SINCERITY Issued Date 1993.01.15 Revised Date 2004.07.26 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HE8550S PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HE8550S is designed for general purpose amplifier applications. Features TO-92 High DC Current gain 100-500 at IC=150mA Complementary to HE8050S Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures

 8.1. Size:213K  utc
he8550.pdfpdf_icon

HE8550S

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD HE8550 PNP SILICON TRANSISTOR LOW VOLTAGE HIGH CURRENT SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC HE8550 is a low voltage high current small signal PNP transistor, designed for Class B push-pull 2W audio amplifier for portable radio and general purpose applications. FEATURES * Collector Current up to 1.5A * Collector-Emitter Volt

 8.2. Size:21K  utc
he8550l.pdfpdf_icon

HE8550S

UTC HE8550 PNP EPITAXIAL SILIC ON TRANSISTOR LOW VOLTAGE HIGH CURRENT SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC HE8550 is a low voltage high current small signal PNP transistor, designed for Class B push-pull 2W audio amplifier for portable radio and general purpose applications. 1 FEATURES *Collector current up to 1.5A *Collector-Emitter voltage up to 25 V *Complimentary to

 8.3. Size:46K  hsmc
he8550.pdfpdf_icon

HE8550S

Spec. No. HE6114 HI-SINCERITY Issued Date 1992.09.30 Revised Date 2006.07.28 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HE8550 PNP Epitaxial Planar Transistor Description The HE8550 is designed for use in 2W output amplifier of portable radios in class B push-pull operation. TO-92 Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures Storage Temperature................................

Другие транзисторы: HBD437T, HBD438T, HBF422, HBF423, HD122, HE8050, HE8050S, HE8550, BC327, HE9014, HE9015, HI10387, HI112, HI117, HI122, HI127, HI13003

 

 

 

 

↑ Back to Top
.