HLB121A datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: HLB121A 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10
Корпус транзистора: TO-92
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для HLB121A
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
HLB121A даташит
hlb121a.pdf
Spec. No. HA200112 HI-SINCERITY Issued Date 2001.04.01 Revised Date 2007.09.29 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HLB121A NPN Triple Diffused Planar Type High Voltage Transistor Description The HLB121A is a medium power transistor designed for use in switching applications. TO-92 Features High breakdown voltage Low collector saturation voltage Fa
hlb121.pdf
UTC HLB121 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TYPE HIGH VOLTAGE TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC HLB121 is a medium power transistor designed for use in switching applications. FEATURES 1 * High breakdown voltage * Low collector saturation voltage * Fast switching speed TO-251 1 BASE 2 COLLECTOR 3 EMITTER *Pb-free plating product number HLB121L
hlb121i.pdf
Spec. No. HE9027 HI-SINCERITY Issued Date 1996.11.06 Revised Date 2005.07.13 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HLB121I NPN Triple Diffused Planar Type High Voltage Transistor Description The HLB121I is a medium power transistor designed for use in switching applications. TO-251 Features High breakdown voltage Low collector saturation voltage Fast switching s
hlb121d.pdf
Spec. No. HD200205 HI-SINCERITY Issued Date 2002.05.01 Revised Date 2005.08.16 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HLB121D NPN Triple Diffused Planar Type High Voltage Transistor Description The HLB121D is a medium power transistor designed for use in switching applications. TO-126ML Features High breakdown voltage Low collector saturation voltage Fast switchi
Другие транзисторы: HJ127, HJ13003, HJ3669, HJ667A, HJ669A, HJ772, HJ882, HLB120A, A1013, HLB121D, HLB121I, HLB122I, HLB123D, HLB123I, HLB123SA, HLB123T, HLB124E
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
svt20240nt | tip41c replacement | b772m transistor | mj15003g datasheet | irfp460n datasheet | mj15025g | ksa1381 replacement | m3056m mosfet




