HLB121D datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: HLB121D 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10
Корпус транзистора: TO-126ML
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для HLB121D
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
HLB121D даташит
hlb121d.pdf
Spec. No. HD200205 HI-SINCERITY Issued Date 2002.05.01 Revised Date 2005.08.16 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HLB121D NPN Triple Diffused Planar Type High Voltage Transistor Description The HLB121D is a medium power transistor designed for use in switching applications. TO-126ML Features High breakdown voltage Low collector saturation voltage Fast switchi
hlb121.pdf
UTC HLB121 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TYPE HIGH VOLTAGE TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC HLB121 is a medium power transistor designed for use in switching applications. FEATURES 1 * High breakdown voltage * Low collector saturation voltage * Fast switching speed TO-251 1 BASE 2 COLLECTOR 3 EMITTER *Pb-free plating product number HLB121L
hlb121i.pdf
Spec. No. HE9027 HI-SINCERITY Issued Date 1996.11.06 Revised Date 2005.07.13 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HLB121I NPN Triple Diffused Planar Type High Voltage Transistor Description The HLB121I is a medium power transistor designed for use in switching applications. TO-251 Features High breakdown voltage Low collector saturation voltage Fast switching s
hlb121a.pdf
Spec. No. HA200112 HI-SINCERITY Issued Date 2001.04.01 Revised Date 2007.09.29 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HLB121A NPN Triple Diffused Planar Type High Voltage Transistor Description The HLB121A is a medium power transistor designed for use in switching applications. TO-92 Features High breakdown voltage Low collector saturation voltage Fa
Другие транзисторы: HJ13003, HJ3669, HJ667A, HJ669A, HJ772, HJ882, HLB120A, HLB121A, 2SB817, HLB121I, HLB122I, HLB123D, HLB123I, HLB123SA, HLB123T, HLB124E, HLB125HE
History: DST3906DJ
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip41c replacement | b772m transistor | mj15003g datasheet | irfp460n datasheet | mj15025g | ksa1381 replacement | m3056m mosfet | skd502t mosfet




