Справочник транзисторов. HLB123SA

 

Биполярный транзистор HLB123SA - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: HLB123SA
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для HLB123SA

 

 

HLB123SA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  hsmc
hlb123sa.pdf

HLB123SA
HLB123SA

Spec. No. : HA200601 HI-SINCERITY Issued Date : 2006.12.01 Revised Date : 2009.07,02 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/6 HLB123SA NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description High Voltage, High Speed Power Switch TO-92 Switch Regulators PWM Inverters and Motor Controls Solenoid and Relay Drivers Deflection Circuits Absolute Maximum Ratings Pa

 8.1. Size:47K  hsmc
hlb123d.pdf

HLB123SA
HLB123SA

Spec. No. : HE6603HI-SINCERITYIssued Date : 1993.03.15Revised Date : 2005.08.16MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HLB123DNPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HLB123D is designed for high voltage. High speed switching inductive circuitsand amplifier applications.FeaturesTO-126ML High Speed Switching Low Saturation Voltage High ReliabilityAbsolut

 8.2. Size:40K  hsmc
hlb123t.pdf

HLB123SA
HLB123SA

Spec. No. : HT200402HI-SINCERITYIssued Date : 1993.05.15Revised Date : 2006.02.20MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HLB123TNPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HLB123T is designed for high voltage. High speed switching inductive circuitsand amplifier applications.FeaturesTO-126 High Speed Switching Low Saturation Voltage High ReliabilityAbsolut

 8.3. Size:53K  hsmc
hlb123i.pdf

HLB123SA
HLB123SA

Spec. No. : HI200202HI-SINCERITYIssued Date : 2002.06.01Revised Date : 2005.07.13MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HLB123INPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HLB123I is designed for high voltage. High speed switching inductive circuitsand amplifier applications.TO-251Features High Speed Switching Low Saturation Voltage High ReliabilityAbsolut

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: ZTX314L | ZT2369A

 

 
Back to Top