HLB123SA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HLB123SA  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO-92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для HLB123SA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HLB123SA даташит

 ..1. Size:187K  hsmc
 hlb123sa.pdf pdf_icon

HLB123SA

Spec. No. HA200601 HI-SINCERITY Issued Date 2006.12.01 Revised Date 2009.07,02 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/6 HLB123SA NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description High Voltage, High Speed Power Switch TO-92 Switch Regulators PWM Inverters and Motor Controls Solenoid and Relay Drivers Deflection Circuits Absolute Maximum Ratings Pa

 8.1. Size:47K  hsmc
 hlb123d.pdf pdf_icon

HLB123SA

Spec. No. HE6603 HI-SINCERITY Issued Date 1993.03.15 Revised Date 2005.08.16 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HLB123D NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HLB123D is designed for high voltage. High speed switching inductive circuits and amplifier applications. Features TO-126ML High Speed Switching Low Saturation Voltage High Reliability Absolut

 8.2. Size:40K  hsmc
 hlb123t.pdf pdf_icon

HLB123SA

Spec. No. HT200402 HI-SINCERITY Issued Date 1993.05.15 Revised Date 2006.02.20 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HLB123T NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HLB123T is designed for high voltage. High speed switching inductive circuits and amplifier applications. Features TO-126 High Speed Switching Low Saturation Voltage High Reliability Absolut

 8.3. Size:53K  hsmc
 hlb123i.pdf pdf_icon

HLB123SA

Spec. No. HI200202 HI-SINCERITY Issued Date 2002.06.01 Revised Date 2005.07.13 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HLB123I NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HLB123I is designed for high voltage. High speed switching inductive circuits and amplifier applications. TO-251 Features High Speed Switching Low Saturation Voltage High Reliability Absolut

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: HJ882, HLB120A, HLB121A, HLB121D, HLB121I, HLB122I, HLB123D, HLB123I, D209L, HLB123T, HLB124E, HLB125HE, HM112, HM117, HM2222A, HM2907A, HM3669