Биполярный транзистор HM772 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HM772
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 55 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT-89
HM772 Datasheet (PDF)
hm772.pdf
Spec. No. : HE9515HI-SINCERITYIssued Date : 1997.06.05Revised Date : 2004.06.17MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/6HM772PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HM772 is designed for use in output stage of amplifier, voltage regulator, DC-DC converter and driver.SOT-89Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature ...........................
hm772a.pdf
Spec. No. : HM200207HI-SINCERITYIssued Date : 2000.12.01Revised Date : 2006.07.27MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HM772APNP Epitaxial Planar TransistorDescriptionThe HM772A is designed for use in output stage of amplifier, voltage regulator, DC-DCconverter and driver. SOT-89Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature..........................
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
