Биполярный транзистор HMBT4403 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HMBT4403
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT-23
HMBT4403 Datasheet (PDF)
hmbt4403.pdf
Spec. No. : HE6818HI-SINCERITYIssued Date : 1993.06.30Revised Date : 2004.08.30MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HMBT4403PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HMBT4403 is designed for general purpose applications requiring highbreakdown voltages.SOT-23Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature........................................
hmbt4401.pdf
Spec. No. : HE6815HI-SINCERITYIssued Date : 1993.06.30Revised Date : 2004.09.08MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HMBT4401NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HMBT4401 is designed for general purpose switching and amplifierapplications.SOT-23Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature..................................................
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .